[实用新型]半导体封装结构

说明书

本实用新型提供一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：基底；牺牲层，位于基底的上表面；重新布线层，位于牺牲层的上表面；芯片，倒装合于重新布线层的上表面；第一电连接结构，位于重新布线层的上表面；第一塑封层，位于重新布线层的上表面，且将芯片及所述第一电连接结构塑封；第二电连接结构，位于第一塑封层上；第二塑封层，位于第一塑封层上，且将第二电连接结构塑封；顶层金属线层，位于第二塑封层上；翘曲调整层，位于基底的下表面。本实用新型的半导体封装结构的翘曲调整层可以补偿和抵消塑封材料层形成后导致的翘曲，从而减小甚至消除半导体封装结构的翘曲。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种半导体封装结构。

背景技术

在传统的扇出型封装技术中，芯片塑封于塑封材料层内；但由于塑封材料层与基底及重新布线层之间的热膨胀系数(CTE)不同，在形成塑封材料层后会导致封装结构发生翘曲，容易导致封装结构碎裂，从而影响封装结构的性能。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体封装结构，用于解决现有技术中存在的封装结构在形成塑封材料层后发生翘曲，容易导致封装结构碎裂，从而影响封装结构的性能的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：

基底；

牺牲层，位于所述基底的上表面；

重新布线层，位于所述牺牲层的上表面；

芯片，倒装合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；

第一电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；

第一塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且将所述芯片及所述第一电连接结构塑封；

第二电连接结构，位于所述第一塑封层上，且与所述第一电连接结构电连接；

第二塑封层，位于所述第一塑封层上，且将所述第二电连接结构塑封；

顶层金属线层，位于所述第二塑封层上，且与所述第二电连接结构电连接；

翘曲调整层，位于所述基底的下表面。

可选地，所述重新布线层包括：

布线介电层，位于所述牺牲层的上表面；

金属叠层结构，位于所述布线介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。

可选地，所述重新布线层还包括：

种子层，位于所述布线介电层内，且与所述金属叠层结构电连接；

塑封材料层，位于所述布线介电层内，且位于所述种子层的下表面；

底层介电层，位于所述布线介电层的下表面。

可选地，所述半导体封装结构还包括：

层间介电层，位于所述第一塑封层与所述第二塑封层之间；

再布线金属层，位于所述层间介电层内，且与所述第一电连接结构及所述第二电连接结构电连接。

可选地，所述翘曲调整层包括有机材料层。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型还提供一种半导体封装结构的制备方法，所述半导体封装结构的制备方法包括如下步骤：

提供基底，于所述基底的上表面形成牺牲层；