[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201920834726.3 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN209804637U | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 吕娇;陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/528 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 上表面 塑封层 半导体封装结构 电连接结构 重新布线层 翘曲 基底 本实用新型 调整层 牺牲层 塑封 芯片 顶层金属线 塑封材料 下表面 倒装 减小 抵消 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
基底；
牺牲层，位于所述基底的上表面；
重新布线层，位于所述牺牲层的上表面；
芯片，倒装合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；
第一电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；
第一塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且将所述芯片及所述第一电连接结构塑封；
第二电连接结构，位于所述第一塑封层上，且与所述第一电连接结构电连接；
第二塑封层，位于所述第一塑封层上，且将所述第二电连接结构塑封；
顶层金属线层，位于所述第二塑封层上，且与所述第二电连接结构电连接；
翘曲调整层，位于所述基底的下表面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：
布线介电层，位于所述牺牲层的上表面；
金属叠层结构，位于所述布线介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重新布线层还包括：
种子层，位于所述布线介电层内，且与所述金属叠层结构电连接；
塑封材料层，位于所述布线介电层内，且位于所述种子层的下表面；
底层介电层，位于所述布线介电层的下表面。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括：
层间介电层，位于所述第一塑封层与所述第二塑封层之间；
再布线金属层，位于所述层间介电层内，且与所述第一电连接结构及所述第二电连接结构电连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述翘曲调整层包括有机材料层。
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