[实用新型]发光二极管有效
申请号: | 201920787829.9 | 申请日: | 2019-05-28 |
公开(公告)号: | CN209822676U | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 曾颀尧;陈柏松;汪琼;邢琨;冷鑫钰 | 申请(专利权)人: | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/06 |
代理公司: | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 熊文杰;李双皓 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种发光二极管。一种发光二极管,包括衬底、第一U型氮化镓层、掺杂镁的氮化镓结构层、N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层。其中,掺杂镁的氮化镓结构层呈现二维结构,可以遮盖衬底和第一U型氮化镓层中的缺陷,使发光二极管的其它层级不受衬底和第一U型氮化镓层中的缺陷的影响,提升所述发光二极管的发光效果。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 衬底 氮化镓结构层 掺杂 多量子阱结构层 本实用新型 二维结构 发光效果 层级 遮盖 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:/n衬底(100),具有相对设置的第一表面(102)和第二表面(104);/n第一U型氮化镓层(200),覆盖所述第一表面(102);/n掺杂镁的氮化镓结构层(300),覆盖所述第一U型氮化镓层(200);/nN型氮化镓层(400),覆盖所述掺杂镁的氮化镓结构层(300);/n多量子阱结构层(500),覆盖所述N型氮化镓层(400);/nP型氮化镓层(600),覆盖所述多量子阱结构层(500)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芜湖德豪润达光电科技有限公司,未经芜湖德豪润达光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920787829.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体发光元件
- 下一篇:一种电流均匀的LED芯片