[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201920787829.9 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN209822676U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 曾颀尧;陈柏松;汪琼;邢琨;冷鑫钰 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 熊文杰;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 衬底 氮化镓结构层 掺杂 多量子阱结构层 本实用新型 二维结构 发光效果 层级 遮盖 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底(100)，具有相对设置的第一表面(102)和第二表面(104)；
第一U型氮化镓层(200)，覆盖所述第一表面(102)；
掺杂镁的氮化镓结构层(300)，覆盖所述第一U型氮化镓层(200)；
N型氮化镓层(400)，覆盖所述掺杂镁的氮化镓结构层(300)；
多量子阱结构层(500)，覆盖所述N型氮化镓层(400)；
P型氮化镓层(600)，覆盖所述多量子阱结构层(500)。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述掺杂镁的氮化镓结构层(300)包括：
第二U型氮化镓层(310)，覆盖所述第一U型氮化镓层(200)；
第一掺杂镁的氮化镓层(320)，覆盖所述第二U型氮化镓层(310)。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，沿所述发光二极管(10)的层叠方向，所述第一掺杂镁的氮化镓层(320)的镁含量逐渐升高。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一掺杂镁的氮化镓层(320)的镁含量呈线性变化或阶梯性变化。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述掺杂镁的氮化镓结构层(300)包括：
第二U型氮化镓层(310)，覆盖所述第一U型氮化镓层(200)；
掺杂镁的氮化镓循环层(330)，覆盖所述第二U型氮化镓层(310)。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述掺杂镁的氮化镓循环层(330)包括多个第三U型氮化镓层(332)和第二掺杂镁的氮化镓层(334)，所述第三U型氮化镓层(332)和所述第二掺杂镁的氮化镓层(334)交错层叠构成所述掺杂镁的氮化镓循环层(330)。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
缓冲层(700)，覆盖所述第一表面(102)，所述缓冲层(700)设于所述衬底(100)与所述第一U型氮化镓层(200)之间。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
第四U型氮化镓层(800)，覆盖所述掺杂镁的氮化镓结构层(300)，所述第四U型氮化镓层(800)设置于所述掺杂镁的氮化镓结构层(300)和所述N型氮化镓层(400)之间。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
应力释放层(900)，覆盖所述N型氮化镓层(400)，所述应力释放层(900)设置于所述N型氮化镓层(400)和所述多量子阱结构层(500)之间。
10.根据权利要求1至9任意一项所述的发光二极管，其特征在于，所述多量子阱结构层(500)包括层叠的量子阱层(510)和量子垒层(520)；所述量子阱层(510)包括铟镓氮层；所述量子垒层(520)包括掺杂硅的氮化镓层。
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