[实用新型]发光二极管

说明书

本实用新型涉及一种发光二极管。一种发光二极管，包括衬底、第一U型氮化镓层、掺杂镁的氮化镓结构层、N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层。其中，掺杂镁的氮化镓结构层呈现二维结构，可以遮盖衬底和第一U型氮化镓层中的缺陷，使发光二极管的其它层级不受衬底和第一U型氮化镓层中的缺陷的影响，提升所述发光二极管的发光效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管(LED，Light Emitting Diode)是一种能发光的固态半导体器件，被广泛应用于指示灯和显示屏等照明发光领域。

传统技术中，发光二极管的核心一般为PN结。在电场作用下，构成PN结的P型层中的空穴和构成PN结的N型层中的电子复合形成可见光。

申请人在实现传统技术的过程中发现：传统的发光二极管，其发光效率较差。

实用新型内容

一种发光二极管，包括：

衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；

第一U型氮化镓层，覆盖所述第一表面；

掺杂镁的氮化镓结构层，覆盖所述第一U型氮化镓层；

N型氮化镓层，覆盖所述掺杂镁的氮化镓结构层；

多量子阱结构层，覆盖所述N型氮化镓层；

P型氮化镓层，覆盖所述多量子阱结构层。

上述发光二极管，包括掺杂镁的氮化镓结构层。该掺杂镁的氮化镓结构层呈现二维结构，可以遮盖衬底和第一U型氮化镓层中的缺陷，使发光二极管的其它层级不受衬底和第一U型氮化镓层中的缺陷的影响，提升所述发光二极管的发光效果。

附图说明

图1为本申请一个实施例中发光二极管形成方法的流程示意图。

图2为本申请一个实施例中发光二极管的结构示意图。

图3为本申请一个实施例中形成掺杂镁的氮化镓结构层的流程示意图。

图4为本申请另一个实施例中发光二极管的结构示意图。

图5为本申请另一个实施例中形成掺杂镁的氮化镓结构层的流程示意图。

图6为本申请又一个实施例中发光二极管的结构示意图。

图7为本申请一个实施例中掺杂镁的氮化镓结构层的结构示意图。

图8为本申请一个实施例中形成缓冲层的流程示意图。

图9为本申请一个实施例中第四U型氮化镓层的形成流程示意图。

图10为本申请一个实施例中发光二极管的结构示意图。

图11为本申请一个实施例中发光二极管的结构示意图。

其中，各附图标号所代表的含义分别为：

10、发光二极管；

100、衬底；

102、第一表面；

104、第二表面；

200、第一U型氮化镓层；

300、掺杂镁的氮化镓结构层；

310、第二U型氮化镓层；

320、第一掺杂镁的氮化镓层；

330、掺杂镁的氮化镓循环层；