[实用新型]一种防止引线框架氧化的轨具有效

申请号：	201920775309.6	申请日：	2019-05-27
公开（公告）号：	CN209785879U	公开（公告）日：	2019-12-13
发明（设计）人：	曾尚文;陈久元;杨利明;李洪贞	申请（专利权）人：	四川晶辉半导体有限公司
主分类号：	H01L21/48	分类号：	H01L21/48;H01L21/687;H01L21/67
代理公司：	51268 成都虹盛汇泉专利代理有限公司	代理人：	刘冬静
地址：	629200 四川***	国省代码：	四川;51
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本实用新型公开一种防止引线框架氧化的轨具，其包括：下轨板、连接在下轨板的上轨板和锁紧件，上轨板设置有轨板凸起、通气孔、通气槽和固定孔，下轨板设置有安装槽和连通孔，上轨板卡入下轨板的凹槽内并相互匹配，上轨板和下轨板相互固定连接后形成内部具有气流通道的通槽，上轨板和下轨板之间的七六通道密封在两者之间，氮气从连通孔内通入后，经通气槽相互流通，再经通气孔从上轨板的顶部通出，该轨具有效地对置于上轨板地引线框架进行防氧化处理，在引线框架沿传送线移动时在引线框架地下方形成了空设的区域，增大了引线框架与氮气的接触面，增大引线框架的受氮气面积，提高引线框架的防止氧化效果，实现了高标准化的引线框架的防氧化工艺。
搜索关键词：	引线框架上轨板下轨氮气连通孔通气槽通气孔本实用新型防氧化处理高标准化气流通道通道密封氧化效果安装槽板设置传送线地引线防氧化固定孔锁紧件轨板卡入通槽凸起匹配流通移动
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种防止引线框架氧化的轨具，其特征在于，包括：下轨板、连接在下轨板的上轨板和锁紧件，所述上轨板的顶面设置有多个相互间隔的轨板凸起和连通上轨板底面的通气孔，所述通气孔位于相邻轨板凸起之间，所述上轨板的底面设置有通气槽，所述通气孔连通至通气槽，所述通气槽将多个通气孔连通，所述上轨板设置有连通顶面和底面的固定孔，所述下轨板的顶面向内设置有与上轨板相互匹配的安装槽，所述上轨板卡入安装槽后通过锁紧件固定。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川晶辉半导体有限公司，未经四川晶辉半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920775309.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[实用新型]一种防止引线框架氧化的轨具有效

专利文献下载