[实用新型]一种防止引线框架氧化的轨具有效
申请号: | 201920775309.6 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN209785879U | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 曾尚文;陈久元;杨利明;李洪贞 | 申请(专利权)人: | 四川晶辉半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 51268 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 | 代理人: | 刘冬静 |
地址: | 629200 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 引线框架 上轨板 下轨 氮气 连通孔 通气槽 通气孔 本实用新型 防氧化处理 高标准化 气流通道 通道密封 氧化效果 安装槽 板设置 传送线 地引线 防氧化 固定孔 锁紧件 轨板 卡入 通槽 凸起 匹配 流通 移动 | ||
1.一种防止引线框架氧化的轨具,其特征在于,包括:下轨板、连接在下轨板的上轨板和锁紧件,所述上轨板的顶面设置有多个相互间隔的轨板凸起和连通上轨板底面的通气孔,所述通气孔位于相邻轨板凸起之间,所述上轨板的底面设置有通气槽,所述通气孔连通至通气槽,所述通气槽将多个通气孔连通,所述上轨板设置有连通顶面和底面的固定孔,所述下轨板的顶面向内设置有与上轨板相互匹配的安装槽,所述上轨板卡入安装槽后通过锁紧件固定。
2.根据权利要求1所述的一种防止引线框架氧化的轨具,其特征在于,所述轨板凸起为上轨板的顶部凸设形成,多个所述轨板凸起横跨上轨板的两侧,多个所述轨板之间相互间隔。
3.根据权利要求2所述的一种防止引线框架氧化的轨具,其特征在于,所述通气槽为上轨板的底部向内凹设形成,多个所述通气孔连成一排,所述通气槽将每排通气孔相互连通。
4.根据权利要求3所述的一种防止引线框架氧化的轨具,其特征在于,所述通气槽包括横向槽和竖向槽,所述横向槽设置有多条,每条横向槽将每排通气孔连通,所述竖向槽将多条横向槽连通。
5.根据权利要求1所述的一种防止引线框架氧化的轨具,其特征在于,所述安装槽为下轨板的顶面向内凹设形成,所述下轨板的截面形成凹形结构。
6.根据权利要求5所述的一种防止引线框架氧化的轨具,其特征在于,所述下轨板设置有与通气槽位置相对的槽,槽的位置位于下轨板的安装槽形成的平面,所述上轨板和下轨板相互重叠连接后通槽形成连通的通道并密封在上轨板和下轨板之间。
7.根据权利要求6所述的一种防止引线框架氧化的轨具,其特征在于,所述下轨板还设置有连通孔,所述连通孔位于下轨板的侧面,所述连通孔将下轨板的外侧和上轨板和下轨板之间的通道连通。
8.根据权利要求1所述的一种防止引线框架氧化的轨具,其特征在于,所述锁紧件为内六角螺钉,所述固定孔为螺纹孔,所述内六角螺钉通过固定孔将上轨板固定在下轨板的安装槽内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川晶辉半导体有限公司,未经四川晶辉半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920775309.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图形化掩膜层、存储器
- 下一篇:芯片封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造