[实用新型]一种防止引线框架氧化的轨具有效
申请号: | 201920775309.6 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN209785879U | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 曾尚文;陈久元;杨利明;李洪贞 | 申请(专利权)人: | 四川晶辉半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 51268 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 | 代理人: | 刘冬静 |
地址: | 629200 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线框架 上轨板 下轨 氮气 连通孔 通气槽 通气孔 本实用新型 防氧化处理 高标准化 气流通道 通道密封 氧化效果 安装槽 板设置 传送线 地引线 防氧化 固定孔 锁紧件 轨板 卡入 通槽 凸起 匹配 流通 移动 | ||
本实用新型公开一种防止引线框架氧化的轨具,其包括:下轨板、连接在下轨板的上轨板和锁紧件,上轨板设置有轨板凸起、通气孔、通气槽和固定孔,下轨板设置有安装槽和连通孔,上轨板卡入下轨板的凹槽内并相互匹配,上轨板和下轨板相互固定连接后形成内部具有气流通道的通槽,上轨板和下轨板之间的七六通道密封在两者之间,氮气从连通孔内通入后,经通气槽相互流通,再经通气孔从上轨板的顶部通出,该轨具有效地对置于上轨板地引线框架进行防氧化处理,在引线框架沿传送线移动时在引线框架地下方形成了空设的区域,增大了引线框架与氮气的接触面,增大引线框架的受氮气面积,提高引线框架的防止氧化效果,实现了高标准化的引线框架的防氧化工艺。
技术领域
本实用新型涉及引线框架的生产制造技术领域,具体而言,涉及一种防止引线框架氧化的轨具。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。
现有技术的防止引线框架氧化的轨具,其顶部与引线框架底部的接触面接触较大,氧化效果不佳,造成引线框架的底部容易产生不合格产品。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种防止引线框架氧化的轨具,其能够加强了轨具的密封效果,增大引线框架的受氮气面积,提高引线框架的防止氧化效果,实现了高标准化的引线框架的防氧化工艺。
本实用新型的实施例是这样实现的:
一种防止引线框架氧化的轨具,其包括:下轨板、连接在下轨板的上轨板和锁紧件,上轨板的顶面设置有多个相互间隔的轨板凸起和连通上轨板底面的通气孔,通气孔位于相邻轨板凸起之间,上轨板的底面设置有通气槽,通气孔连通至通气槽,通气槽将多个通气孔连通,上轨板设置有连通顶面和底面的固定孔,下轨板的顶面向内设置有与上轨板相互匹配的安装槽,上轨板卡入安装槽后通过锁紧件固定。
在本实用新型较佳的实施例中,上述轨板凸起为上轨板的顶部凸设形成,多个轨板凸起横跨上轨板的两侧,多个轨板之间相互间隔。
在本实用新型较佳的实施例中,上述通气槽为上轨板的底部向内凹设形成,多个通气孔连成一排,通气槽将每排通气孔相互连通。
在本实用新型较佳的实施例中,上述通气槽包括横向槽和竖向槽,横向槽设置有多条,每条横向槽将每排通气孔连通,竖向槽将多条横向槽连通。
在本实用新型较佳的实施例中,上述安装槽为下轨板的顶面向内凹设形成,下轨板的截面形成凹形结构。
在本实用新型较佳的实施例中,上述下轨板设置有与通气槽位置相对的槽,槽的位置位于下轨板的安装槽形成的平面,上轨板和下轨板相互重叠连接后通槽形成连通的通道并密封在上轨板和下轨板之间。
在本实用新型较佳的实施例中,上述下轨板还设置有连通孔,连通孔位于下轨板的侧面,连通孔将下轨板的外侧和上轨板和下轨板之间的通道连通。
在本实用新型较佳的实施例中,上述锁紧件为内六角螺钉,固定孔为螺纹孔,内六角螺钉通过固定孔将上轨板固定在下轨板的安装槽内。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型通过上轨板和下轨板相互匹配连接形成严密的气流通道,气流从下轨板的连通孔进入并通过上轨板和下轨板之间的通气槽进入通气孔,再从上轨板的顶部流出并用于对引线框架进行防氧化工艺,通过相互间隔的轨板凸起将引线框架进行支撑;该轨具能够加强了轨具的密封效果,增大引线框架的受氮气面积,提高引线框架的防止氧化效果,实现了高标准化的引线框架的防氧化工艺。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造