[实用新型]一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳有效
| 申请号： | 201920760312.0 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN210040168U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 夏旻飞;王凤;李凯亮 | 申请（专利权）人： | 合肥圣达电子科技实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/043 | 分类号： | H01L23/043;H01L23/498;H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 34115 合肥天明专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 娄岳 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，包括由氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷构成封装管壳的基底层，该基底层热导率为15W/(m·K)‑240W/(m·K)，所述基底层表面形成有金属化层，该金属化层表面形成有用于防止熔融状态下的吸金导致金锡组分发生偏移的隔离膜层，所述隔离膜层表面预制金锡焊料层。本实用新型用于半导体光电子器件的封装焊接，其基底层采用氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷，并结合金属化层，不仅具有传统金锡合金膜可焊性好、附着性高、组分稳定、外观好等特点，同时通过隔离膜层的设置，使得在芯片非共晶焊接300s时间内，可以实现多区域金锡焊料预制区域上金锡焊料保持熔融状态。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离膜层 金属化层 基底层 本实用新型 氮化铝陶瓷 氧化铝陶瓷 封装管壳 共晶焊接 金锡焊料 熔融状态 预制 半导体光电子器件 基底层表面 表面形成 封装焊接 金锡合金 组分稳定 多区域 多芯片 附着性 可焊性 热导率 锡焊料 偏移 上金 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，其特征在于：包括由氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷构成封装管壳的基底层，该基底层热导率为15W/(m·K)-240W/(m·K)，所述基底层表面形成有金属化层，该金属化层包括有钛层、铂层和金层，所述金属化层表面形成有用于防止熔融状态下的吸金导致金锡组分发生偏移的隔离膜层，所述隔离膜层表面预制金锡焊料层。/n
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