[实用新型]一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳有效
| 申请号： | 201920760312.0 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN210040168U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 夏旻飞;王凤;李凯亮 | 申请（专利权）人： | 合肥圣达电子科技实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/043 | 分类号： | H01L23/043;H01L23/498;H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 34115 合肥天明专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 娄岳 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离膜层 金属化层 基底层 本实用新型 氮化铝陶瓷 氧化铝陶瓷 封装管壳 共晶焊接 金锡焊料 熔融状态 预制 半导体光电子器件 基底层表面 表面形成 封装焊接 金锡合金 组分稳定 多区域 多芯片 附着性 可焊性 热导率 锡焊料 偏移 上金 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，其特征在于：包括由氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷构成封装管壳的基底层，该基底层热导率为15W/(m·K)-240W/(m·K)，所述基底层表面形成有金属化层，该金属化层包括有钛层、铂层和金层，所述金属化层表面形成有用于防止熔融状态下的吸金导致金锡组分发生偏移的隔离膜层，所述隔离膜层表面预制金锡焊料层。
2.根据权利要求1所述的一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，其特征在于：所述基底层无贯穿孔填制浆料时，该基底层的陶瓷表面粗糙度为Ra0.08以下，所述基底层有贯穿孔填制浆料时，所填制浆料凸起2μm以内，同时其基底层的陶瓷表面粗糙度为Ra0.08以下。
3.根据权利要求1所述的一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，其特征在于：所述金属化层采用薄膜印刷或厚膜印刷制备。
4.根据权利要求3所述的一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，其特征在于：所述薄膜印刷采用膜系为钛铂金或钛镍金。
5.根据权利要求3所述的一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，其特征在于：所述厚膜印刷采用钨浆印刷。
6.根据权利要求1所述的一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，其特征在于：所述基底层形状为平板型或凸缘型。
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