[实用新型]一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳

说明书

本实用新型公开了一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，包括由氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷构成封装管壳的基底层，该基底层热导率为15W/(m·K)‑240W/(m·K)，所述基底层表面形成有金属化层，该金属化层表面形成有用于防止熔融状态下的吸金导致金锡组分发生偏移的隔离膜层，所述隔离膜层表面预制金锡焊料层。本实用新型用于半导体光电子器件的封装焊接，其基底层采用氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷，并结合金属化层，不仅具有传统金锡合金膜可焊性好、附着性高、组分稳定、外观好等特点，同时通过隔离膜层的设置，使得在芯片非共晶焊接300s时间内，可以实现多区域金锡焊料预制区域上金锡焊料保持熔融状态。

技术领域

本实用新型涉及封装管壳技术领域，具体为一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳。

背景技术

随着电-光之间相互转化器件的大规模推广，尤其是基于电致发光的大功率LED和高功率激光器，以及基于光通信原理的Intel光脑技术，都要求光电子封装材料和工艺进行变革。两方面的特殊要求使得AuSn20成为光电子封装关注的焦点。但是现有技术领域中，封装用管壳在实际制备过程中以及使用中依然存在焊性较低、附着性底以及组分不稳定的情况，同时在芯片焊接时不能有效的实施长时间熔融状态，这无疑制约了封装管壳的制备生产。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，包括由氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷构成封装管壳的基底层，该基底层热导率为15W/(m·K)-240W/(m·K)，所述基底层表面形成有金属化层，该金属化层表面形成有用于防止熔融状态下的吸金导致金锡组分发生偏移的隔离膜层，所述隔离膜层表面预制金锡焊料层。

所述基底层无贯穿孔填制浆料时，该基底层的陶瓷表面粗糙度为Ra0.08以下，所述基底层有贯穿孔填制浆料时，所填制浆料凸起2μm以内，同时其基底层的陶瓷表面粗糙度为Ra0.08以下。

所述金属化层采用薄膜印刷或厚膜印刷制备。

所述薄膜印刷采用膜系为钛铂金或钛镍金。

所述厚膜印刷采用钨浆印刷。

所述基底层形状为平板型或凸缘型。

由上述技术方案可知，本实用新型用于半导体光电子器件的封装焊接，其基底层采用氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷，并结合金属化层，不仅具有传统金锡合金膜可焊性好、附着性高、组分稳定、外观好等特点，同时通过隔离膜层的设置，使得在芯片非共晶焊接300s时间内，可以实现多区域金锡焊料预制区域上金锡焊料保持熔融状态。

附图说明

图1为本实用新型侧视图；

图2为本实用新型俯视图。

图中：1基底层、2钛层、3金锡焊料层、4铂层、5金层、6隔离膜层、7金属化层。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步说明：