[实用新型]一种晶体生长装置有效
| 申请号： | 201920645452.3 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN211036174U | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/10;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶体生长装置，包括：炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚内包括熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述坩埚的上方，配置为在晶体生长的过程中提拉晶体；熔融盖，所述熔融盖固定在所述提拉装置的下端，配置为减少所述熔体的热损失。根据本实用新型提供的晶体生长装置，通过在坩埚的上方设置熔融盖，减少了熔体的热损失，缩短了原料在坩埚中加热熔化的时间，降低了加热器的能耗，进而提高了生产效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
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