[实用新型]一种晶体生长装置有效
| 申请号： | 201920645452.3 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN211036174U | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/10;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：
炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚内包括熔体；
提拉装置，所述提拉装置设置在所述坩埚的上方，配置为在晶体生长的过程中提拉晶体；
熔融盖，所述熔融盖固定在所述提拉装置的下端，配置为减少所述熔体的热损失。
2.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述熔融盖由隔热材料制成。
3.如权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述熔融盖包括外部壳体部分和内部填充部分，所述外部壳体部分包括硬质塑形材料。
4.如权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述外部壳体部分的材料包括石墨、连续纤维复合材料或钼。
5.如权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述内部填充部分包括石墨毛毡和/或石墨固毡。
6.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述熔融盖包括圆柱形、球形、椭球形或其组合。
7.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述提拉装置包括提拉晶绳和/或提拉硬杆。
8.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述熔融盖的直径范围包括150mm至750mm。
9.如权利要求8所述的晶体生长装置，其特征在于，所述熔融盖的直径小于反射屏之间的距离。
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