[实用新型]一种晶体生长装置

说明书

本实用新型提供一种晶体生长装置，包括：炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚内包括熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述坩埚的上方，配置为在晶体生长的过程中提拉晶体；熔融盖，所述熔融盖固定在所述提拉装置的下端，配置为减少所述熔体的热损失。根据本实用新型提供的晶体生长装置，通过在坩埚的上方设置熔融盖，减少了熔体的热损失，缩短了原料在坩埚中加热熔化的时间，降低了加热器的能耗，进而提高了生产效率，降低了生产成本。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言涉及一种晶体生长装置。

背景技术

随着集成电路(Integrated Circuit，IC)产业的迅猛发展，器件制造商对IC级硅单晶材料提出了更加严格的要求，而大直径单晶硅是制备器件所必须的衬底材料。提拉法(Czochralski，CZ法)是现有技术中由熔体生长单晶的一项最主要的方法，其具体做法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体。

然而在晶体生长过程中，熔体的热量以热辐射等形式传递到炉体中，造成热损失。导致原料放在坩埚中加热熔化的时间增长，加热器的能耗增大，生产效率降低，生产成本升高。

因此，有必要提出一种新的晶体生长装置，以解决上述问题。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型的实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本实用新型提供一种晶体生长装置，包括：

炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚内包括熔体；

提拉装置，所述提拉装置设置在所述坩埚的上方，配置为在晶体生长的过程中提拉晶体；

熔融盖，所述熔融盖固定在所述提拉装置的下端，配置为减少所述熔体的热损失。

进一步，所述熔融盖由隔热材料制成。

进一步，所述熔融盖包括外部壳体部分和内部填充部分，所述外部壳体部分包括硬质塑形材料，所述内部填充部分包括柔性多孔材料和/或硬性多孔材料。

进一步，所述外部壳体部分的材料包括石墨、连续纤维复合材料或钼。

进一步，所述内部填充部分包括石墨毛毡和/或石墨固毡。

进一步，所述熔融盖包括圆柱形、球形、椭球形或其组合。

进一步，所述提拉装置包括提拉晶绳和/或提拉硬杆。

进一步，所述熔融盖的直径范围包括150mm至750mm。

进一步，所述熔融盖的直径小于反射屏之间的距离。

根据本实用新型提供的晶体生长装置，通过在坩埚的上方设置熔融盖，减少了熔体的热损失，缩短了原料在坩埚中加热熔化的时间，降低了加热器的能耗，进而提高了生产效率，降低了生产成本。

附图说明

本实用新型的下列附图在此作为本实用新型的一部分用于理解本实用新型。附图中示出了本实用新型的实施例及其描述，用来解释本实用新型的装置及原理。在附图中，

图1为本实用新型的晶体生长装置的示意图；

图2为本实用新型的熔融盖的俯视图。

附图标记

1、炉体 2、提拉晶绳