[实用新型]一种GaN功率器件输出特性的测试电路有效
申请号: | 201920621383.2 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN211086502U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 王蓓蓓;栾洪洲;朱宁辉;张良;王轩;董亮;燕翚;刘道民;张彬 | 申请(专利权)人: | 中电普瑞科技有限公司;南瑞集团有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 102200 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种GaN功率器件输出特性的测试电路,包括:隔离驱动芯片、驱动及门源极保护电路、GaN功率开关器件VT1、待测GaN功率开关器件VT2、第一RC吸收保护电路、第二RC吸收保护电路、电感L、直流电源Vd和高隔离电源;本实用新型提供的电路,可以在一个很小的工装板上实现GaN功率器件输出特性的测试,能够有效避免控制信号和主线路连接线带来的电磁干扰和寄生参数,提高测试结果的准确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 gan 功率 器件 输出 特性 测试 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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