[实用新型]一种GaN功率器件输出特性的测试电路

说明书

本实用新型提供了一种GaN功率器件输出特性的测试电路，包括：隔离驱动芯片、驱动及门源极保护电路、GaN功率开关器件VT1、待测GaN功率开关器件VT2、第一RC吸收保护电路、第二RC吸收保护电路、电感L、直流电源Vd和高隔离电源；本实用新型提供的电路，可以在一个很小的工装板上实现GaN功率器件输出特性的测试，能够有效避免控制信号和主线路连接线带来的电磁干扰和寄生参数，提高测试结果的准确性。

技术领域

本实用新型涉及电力电子测试领域，具体涉及一种GaN功率器件输出特性的测试电路。

背景技术

硅功率器件性能的发展已达到了极限，与传统的硅功率器件相比，宽禁带功率半导体的性能要优异的多，其中，最具代表性的宽禁带功率半导体器件应当为氮化镓功率器件。氮化镓功率器件采用高电子迁移率晶体管结构，开关过程很快，可实现高频率的开关；相比于传统的硅功率器件，在耐受电压相同的情况下，氮化镓裸片体积要小得多且寄生电容小，有助于提高开关速度。但是，氮化镓功率器件的性能研究还不够完善，器件制造商提供的输出特性数据有限，所以有必要对氮化镓功率器件的输出性能进一步研究。

目前对氮化镓功率器件的输出特性研究均是从氮化镓功率器件内部结构出发，搭建一定的寄生参数模型，通过测试氮化镓功率器件的电压电流波形来计算寄生参数值。这种方法操作复杂，耗时耗力，并且未从氮化镓功率器件的应用角度出发来研究，导致测试结果的不准确。

实用新型内容

本实用新型提供一种GaN功率器件输出特性的测试电路，其目的是在一个很小的工装板上能够实现GaN功率器件输出特性的测试，有效避免控制信号和主线路连接线带来的电磁干扰和寄生参数，提高测试结果的准确性。

本实用新型的目的是采用下述技术方案实现的：

一种GaN功率器件输出特性的测试电路，其改进之处在于，所述电路包括：

隔离驱动芯片、驱动及门源极保护电路、GaN功率开关器件VT1、待测GaN功率开关器件VT2、第一RC吸收保护电路、第二RC吸收保护电路、电感L、直流电源Vd和高隔离电源；

所述隔离驱动芯片的副边供电端和所述高隔离电源的正向电压输出端连接；所述隔离驱动芯片的副边接地端和所述高隔离电源的负向电压输出端连接；所述高隔离电源的接地端和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接；

所述隔离驱动芯片的输出端和所述驱动及门源极保护电路的输入端连接；所述驱动及门源极保护电路的第一输出端和所述待测GaN功率开关器件VT2的门极连接；所述驱动及门源极保护电路的第二输出端和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接；所述待测GaN功率开关器件VT2和所述第二RC吸收保护电路并联；

所述GaN功率开关器件VT1的门极和其源极连接；所述GaN功率开关器件VT1分别和所述第一RC吸收保护电路、电感L并联；

所述GaN功率开关器件VT1的源极和所述待测GaN功率开关器件VT2的漏极连接；

所述第一RC吸收保护电路和所述第二RC吸收保护电路串联；

所述直流电源Vd的正极和所述GaN功率开关器件VT1的漏极连接；所述直流电源Vd的负极和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接。

优选的，所述高隔离电源包括：

输入电源、Boost升压电路、推挽电路、正压调节电路和负压调节电路；

所述输入电源、Boost升压电路、推挽电路依次连接；所述正压调节电路与所述推挽电路的一个输出端连接，所述负压调节电路与所述推挽电路的另一个输出端连接；

所述Boost升压电路，用于将输入电源输入的电压升高至50V，并为所述推挽电路提供50V的输入电压；