[实用新型]一种CVD沉积炉装置有效
| 申请号： | 201920237964.6 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN209957892U | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;万强;柴攀 | 申请（专利权）人： | 湖南德智新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 侯艳华 |
| 地址： | 412000 湖南省株洲市天元区中*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种CVD沉积炉装置，包括沉积室、基座和进气组件，进气组件与沉积室连接，进气组件包括：进气管、分流球、3至11个分流管，分流管连接喷嘴。本实用新型提供的CVD沉积炉装置的有益效果在于：输入CVD沉积炉的源气体从进气管到达分流球后，流经不同方向的分流管，在喷嘴作用下均匀扩散在沉积室中，由于取消了分流盘，避免了源气体大量沉积在分流盘上，也避免了沉积室内气体浓度不均，大大提高了源气体的利用效率，显著提高了沉积品质。 | ||
| 搜索关键词： | 进气组件 沉积炉 沉积室 分流管 源气体 沉积 本实用新型 分流盘 分流球 进气管 均匀扩散 浓度不均 喷嘴作用 室内气体 喷嘴 | ||
【主权项】：
1.一种CVD沉积炉装置，其特征在于，包括沉积室(1)、基座(2)和进气组件(3)，所述进气组件(3)与所述沉积室(1)连接，所述进气组件(3)包括：/n进气管(32)，所述进气管(32)为空心结构，与所述沉积室(1)外空间相通；/n分流球(33)，所述分流球(33)为空心结构，设于所述进气管(32)远离沉积室(1)外空间一端并与所述进气管(32)相通；/n至少3个分流管(34)，分设于所述分流球(33)球面，所述分流管(34)为空心结构，一端与所述分流球(33)内腔相通；/n至少3个喷嘴(35)，设于所述分流管(34)远离分流球(33)一端，所述喷嘴(35)为空心结构，一端与所述分流管(34)相通，另一端与所述沉积室(1)相通。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南德智新材料有限公司，未经湖南德智新材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920237964.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
