[实用新型]一种CVD沉积炉装置

说明书

本实用新型提供了一种CVD沉积炉装置，包括沉积室、基座和进气组件，进气组件与沉积室连接，进气组件包括：进气管、分流球、3至11个分流管，分流管连接喷嘴。本实用新型提供的CVD沉积炉装置的有益效果在于：输入CVD沉积炉的源气体从进气管到达分流球后，流经不同方向的分流管，在喷嘴作用下均匀扩散在沉积室中，由于取消了分流盘，避免了源气体大量沉积在分流盘上，也避免了沉积室内气体浓度不均，大大提高了源气体的利用效率，显著提高了沉积品质。

技术领域

本实用新型涉及半导体工业领域，特别涉及一种CVD沉积炉装置。

背景技术

作为半导体工业中应用广泛的技术之一，化学气相沉积(CVD)是将含有原材料组分的源气体输入CVD沉积炉，通过扩散和对流等机理沉积在预制件上沉积一层固态薄膜并生成成品的工艺过程。在CVD工艺中，CVD沉积炉结构对沉积效率和沉积品质有很大影响。

现有传统的CVD沉积炉通常由一个平面状分流盘分隔成混气室和沉积室，源气体通过进气管后首先进入混气室，然后通过分流盘上的气孔进入沉积室。由于沉积过程中分流盘温度很高，大部分源气体在进入沉积室前将直接沉积在分流盘上，导致源气体损耗过大、在沉积室内分布不均，影响沉积效率和沉积品质。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种CVD沉积炉装置，旨在解决现有技术中源气体损耗过大、在沉积室内分布不均的技术问题，采用的技术方案如下：

一种CVD沉积炉装置，包括沉积室、基座和进气组件，进气组件与沉积室连接，进气组件包括：

进气管，进气管为空心结构，与沉积室外空间相通；

分流球，分流球为空心结构，设于进气管远离沉积室外空间一端并与进气管相通；

至少3个分流管，分设于分流球球面，分流管为空心结构，一端与分流球内腔相通；

至少3个喷嘴，设于分流管远离分流球一端，喷嘴为空心结构，一端与分流管相通，另一端与沉积室相通。

进一步地，沉积室内径为400mm～1000mm，高度为500mm～2000mm，进气管内径为50mm～100mm，壁厚为5mm～10mm，分流球内径为100mm～300mm，壁厚为5mm～10mm，分流管内径为20mm～50mm，长度为20mm～50mm，壁厚为3mm～10mm，喷嘴外形呈圆台状，底面为椭圆形或圆形，内径为20mm～50mm，喇叭口朝向远离分流管一端，圆台母线与中轴线夹角为20度～40度，圆台高20mm～50mm，壁厚为3mm～10mm。

进一步地，分流管数目为11个以内。

进一步地，进气管与分流球之间为螺纹连接或卡扣连接，分流球与分流管之间为螺纹连接或卡扣连接，分流管与喷嘴之间为螺纹连接或卡扣连接。

进一步地，分流管中轴线与分流球球心的距离小于10mm，喷嘴中轴线与分流球球心的距离小于10mm。。

进一步地，基座位于所述沉积室底部，高度小于20mm。

进一步地，沉积室采用石墨或炭炭复合材料制成。

进一步地，进气管连接质量流量测控系统，用于控制进气流量。

本实用新型提供的CVD沉积炉装置的有益效果在于：

输入CVD沉积炉的源气体从进气管到达分流球后，流经不同方向的分流管，在喷嘴作用下，均匀扩散在沉积室中，由于取消了分流盘，避免了源气体大量沉积在分流盘上，也避免了沉积室内气体浓度不均，大大提高了源气体的利用效率，显著提高了沉积品质。

附图说明