[实用新型]一种太阳电池结构有效
| 申请号： | 201920234385.6 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN209675298U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李华;靳玉鹏 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 11266 北京工信联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜丽辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 225300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种太阳电池结构，包括：硅基底、自硅基底向外依次设置的掺杂层、钝化膜层和电极器件；掺杂层包括第一掺杂区域和若干第二掺杂区域，并且，第一掺杂区域和第二掺杂区域导电类型相同；第二掺杂区域的掺杂浓度高于第一掺杂区域的掺杂浓度；电极器件与第一掺杂区域及第二掺杂区域均接触。本实用新型提供的太阳电池结构，通过在掺杂层设置掺杂浓度较高的第二掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，也使得第二掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，可以增加电极器件中金属电极的间距，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区域 电极器件 掺杂层 太阳电池结构 本实用新型 掺杂 金属电极 硅基 载流子 载流子复合 导电类型 钝化膜层 接触区域 依次设置 电阻率 半导体 电池 | ||
【主权项】：
1.一种太阳电池结构，其特征在于，包括：硅基底、自所述硅基底向外依次设置的掺杂层、钝化膜层和电极器件；/n所述掺杂层包括第一掺杂区域和若干第二掺杂区域，并且，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域导电类型相同；所述第二掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一掺杂区域的掺杂浓度；所述电极器件与所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域均接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
