[实用新型]一种太阳电池结构

说明书

本实用新型提供了一种太阳电池结构，包括：硅基底、自硅基底向外依次设置的掺杂层、钝化膜层和电极器件；掺杂层包括第一掺杂区域和若干第二掺杂区域，并且，第一掺杂区域和第二掺杂区域导电类型相同；第二掺杂区域的掺杂浓度高于第一掺杂区域的掺杂浓度；电极器件与第一掺杂区域及第二掺杂区域均接触。本实用新型提供的太阳电池结构，通过在掺杂层设置掺杂浓度较高的第二掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，也使得第二掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，可以增加电极器件中金属电极的间距，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。

技术领域

本实用新型涉及光伏发电技术领域，具体而言，涉及一种太阳电池结构。

背景技术

目前常见的太阳电池片的结构，均是在半导体的表面制备一层掺杂层，然后再在其上设置钝化层及电极，电池表面横向载流子传输的电阻较高，电流的收集能力不高。为了提高电流的收集能力，现有技术中通常将电池的金属电极面积比例设置的较高。

而电池表面金属电极的面积比例太高，会引起一些其他的不良后果。例如由于金属电极和半导体接触的区域复合速率极高，所以会造成电池载流子复合严重，并且，金属电极面积比例越大，金属复合也越大，对电池效率的影响也越大。

发明内容

鉴于此，本实用新型提出了一种太阳电池结构，旨在解决现有电池载流子复合速率较高的问题。

一个方面，本实用新型提出了一种太阳电池结构，包括：硅基底、自所述硅基底向外依次设置的掺杂层、钝化膜层和电极器件；所述掺杂层包括第一掺杂区域和若干第二掺杂区域，并且，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域导电类型相同；所述第二掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一掺杂区域的掺杂浓度；所述电极器件与所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域均接触。

进一步地，上述太阳电池结构中，各所述第二掺杂区域间隔分布在所述第一掺杂区域中。

进一步地，上述太阳电池结构中，每个所述第二掺杂区域的宽度小于与其相邻的所述第一掺杂区域的宽度。

进一步地，上述太阳电池结构中，在所述第一掺杂区域上，沿所述电极器件中电极栅线的长度方向分别间隔设置有若干所述第二掺杂区域，位于不同的电极栅线的下方的相对应的两个所述第二掺杂区域相互隔开。

进一步地，上述太阳电池结构中，位于不同的所述电极栅线下方的各所述第二掺杂区域等间距设置。

进一步地，上述太阳电池结构中，位于同一所述电极栅线下方的各所述第二掺杂区域等间距设置。

进一步地，上述太阳电池结构中，所述电极器件中的电极栅线与所述第二掺杂区域呈夹角设置。

进一步地，上述太阳电池结构中，所述电极器件中的电极栅线与所述第二掺杂区域垂直设置。

进一步地，上述太阳电池结构中，所述第二掺杂区域为带状结构，每个所述第二掺杂区域至少与一段所述电极栅线相接触。

进一步地，上述太阳电池结构中，每个所述第二掺杂区域的宽度为20-300μm；各所述第二掺杂区域之间的间距为300-2000μm。

进一步地，上述太阳电池结构中，所述第一掺杂区域的掺杂浓度为5×10¹⁸～5×10²⁰个/cm³；所述第二掺杂区域的掺杂浓度为1×10¹⁹～5×10²¹个/cm³。

进一步地，上述太阳电池结构中，所述电极器件中的每两根电极栅线之间的间距为1-4mm。