[实用新型]一种太阳电池结构有效
| 申请号： | 201920234385.6 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN209675298U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李华;靳玉鹏 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 11266 北京工信联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜丽辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 225300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂区域 电极器件 掺杂层 太阳电池结构 本实用新型 掺杂 金属电极 硅基 载流子 载流子复合 导电类型 钝化膜层 接触区域 依次设置 电阻率 半导体 电池 | ||
1.一种太阳电池结构，其特征在于，包括：硅基底、自所述硅基底向外依次设置的掺杂层、钝化膜层和电极器件；
所述掺杂层包括第一掺杂区域和若干第二掺杂区域，并且，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域导电类型相同；所述第二掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一掺杂区域的掺杂浓度；所述电极器件与所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域均接触。
2.根据权利要求1所述的太阳电池结构，其特征在于，各所述第二掺杂区域间隔分布在所述第一掺杂区域中。
3.根据权利要求2所述的太阳电池结构，其特征在于，每个所述第二掺杂区域的宽度小于相邻的任意两个所述第二掺杂区域之间的间距。
4.根据权利要求3所述的太阳电池结构，其特征在于，每个所述第二掺杂区域的宽度为20-300μm；各所述第二掺杂区域之间的间距为300-2000μm。
5.根据权利要求1所述的太阳电池结构，其特征在于，在所述第一掺杂区域上，沿所述电极器件中电极栅线的长度方向分别间隔设置有若干所述第二掺杂区域，位于不同的电极栅线下方的相对应的两个所述第二掺杂区域相互隔开。
6.根据权利要求5所述的太阳电池结构，其特征在于，位于不同的所述电极栅线下方的各所述第二掺杂区域等间距设置。
7.根据权利要求5所述的太阳电池结构，其特征在于，位于同一所述电极栅线下方的各所述第二掺杂区域等间距设置。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池结构，其特征在于，所述电极器件中的电极栅线与所述第二掺杂区域呈夹角设置。
9.根据权利要求8所述的太阳电池结构，其特征在于，所述电极器件中的电极栅线与所述第二掺杂区域垂直设置。
10.根据权利要求5至7中任一项所述的太阳电池结构，其特征在于，所述第二掺杂区域为带状结构，每个所述第二掺杂区域至少与一段所述电极栅线相接触。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池结构，其特征在于，所述第一掺杂区域的掺杂浓度为5×1018~5×1020个/cm3；所述第二掺杂区域的掺杂浓度为1×1019~5×1021个/cm3。
12.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池结构，其特征在于，所述电极器件中的每两根电极栅线之间的间距为1-4mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
