[实用新型]一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器有效
| 申请号： | 201920177352.2 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN209249457U | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李晗;余欢 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/538 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，结构上利用两层互联印制板作为三维结构堆叠层，将两芯片通过同一个互联印制板焊接互联，将两互联印制板堆叠，将四个芯片、两层层间互连印制板、一个引线框架层的引脚接线连接成一个NAND FLASH存储器，利用层间内引线将互联印制板上的芯片引至灌封胶外层，然后利用灌封胶外层的外部金属镀化层引线与底部的引线框架上的外引线连通，从而实现多个NAND FLASH芯片的电互联，三维立体结构的设计，实现了在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了4倍容量和2倍位宽的扩展，显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化，尤其适合应用于有高密度集成、小型化需求的航空、航天领域。 | ||
| 搜索关键词： | 印制板 互联 芯片 三维封装 引线框架 灌封胶 气密 三维立体结构 本实用新型 存储器器件 高密度集成 航天领域 平面空间 三维结构 电互联 堆叠层 金属镀 内引线 外引线 互连 层间 单层 堆叠 化层 接线 两层 位宽 引脚 焊接 连通 占用 航空 外部 应用 | ||
【主权项】：
1.一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括两个互联印制板(1)和四个8G×16bit的NAND FLASH芯片(2)，一个互联印制板(1)上层设有两个NAND FLASH芯片(2)，一个互联印制板(1)下层设有分别连通同一个互联印制板(1)上层两个NAND FLASH芯片(2)的两个层间内引线(3)，两个互联印制板(1)堆叠放置，其中两个NAND FLASH芯片位于两个互联印制板(1)之间，下层互联印制板(1)的底部为引线框架(4)，引线框架(4)通过引线框架(4)上的插槽固定有外引线(7)，两个互联印制板(1)、四个NAND FLASH芯片(2)和引线框架(4)通过灌封胶(5)灌封，层间内引线(3)位于灌封胶(5)表面，灌封胶(5)外层设有外部金属镀化层引线(6)，层间内引线(3)与外引线(7)通过外部金属镀化层引线(6)连通。
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