[实用新型]一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器

说明书

本实用新型公开了一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，结构上利用两层互联印制板作为三维结构堆叠层，将两芯片通过同一个互联印制板焊接互联，将两互联印制板堆叠，将四个芯片、两层层间互连印制板、一个引线框架层的引脚接线连接成一个NAND FLASH存储器，利用层间内引线将互联印制板上的芯片引至灌封胶外层，然后利用灌封胶外层的外部金属镀化层引线与底部的引线框架上的外引线连通，从而实现多个NAND FLASH芯片的电互联，三维立体结构的设计，实现了在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了4倍容量和2倍位宽的扩展，显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化，尤其适合应用于有高密度集成、小型化需求的航空、航天领域。

技术领域

本实用新型涉及存储设备，具体涉及一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器。

背景技术

非易失性闪速存储器(NAND FLASH)是计算机中的重要部件之一，是CPU能直接寻址的存储空间，计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，其特点是存取速率快，因此内存的性能对计算机的影响非常大。

对于计算机尺寸要求严格的应用环境，如导弹、船舶、卫星等应用环境，内存部位所占PCB板的面积要求缩小，迫切需要一款能够按照用户实际需求容量及位宽的进行小型化，并且保存NAND FLASH原有特点的存储器模块。

近年来，随着技术的高速发展及国家战略安全的需要，对弹载系统的国产化、小型化和综合打击性能提出了更高的需求。系统迫切需要体积小、综合抗辐照能力强的非易失性闪速存储器。

很多电子产品都需要使用NAND FLASH器件，而且电子产品处理数据量越来越大，要求存储空间越来越大。各种NAND FLASH的容量有限，要实现大容量势必要在PCB板上放置多片NAND FLASH器件，这些器件会占用相当大的面积，引起PCB板面积的增大。

越来越多的电子产品对小型化的要求程度越来越高，PCB板的面积不仅不能扩大，还要求更小。存储器件在板子上能够占用的面积几乎不可能再扩大。系统板需要容量更大、体积更小的存储器。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NANDFLASH存储器，以克服现有技术的不足，本实用新型能够满足系统板对大容量、小体积的SRAM存储器的需求。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，包括两个互联印制板和四个8G×16bit的NAND FLASH芯片，一个互联印制板上层设有两个NAND FLASH芯片，一个互联印制板下层设有分别连通同一个互联印制板上层两个NAND FLASH芯片的两个层间内引线，两个互联印制板堆叠放置，其中两个NAND FLASH芯片位于两个互联印制板之间，下层互联印制板的底部为引线框架，引线框架通过引线框架上的插槽固定有外引线，两个互联印制板、四个NAND FLASH芯片和引线框架通过灌封胶灌封，层间内引线位于灌封胶表面，灌封胶外层设有外部金属镀化层引线，层间内引线与外引线通过外部金属镀化层引线连通。

进一步的，外部金属镀化层引线外侧设有包覆层。

进一步的，NAND FLASH芯片的引脚与互联印制板引脚电气连接，层间内引线与NAND FLASH芯片引脚连接。

进一步的，NAND FLASH芯片通过焊球阵列封装在互联印制板上。

进一步的，层间内引线采用PIN-42-508引线；互连印制板采用SR20M40-1或SR20M40-2印制板；外引线采用扁平引线-O6外引线。

进一步的，灌封胶采用环氧树脂胶。