[实用新型]一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器有效
| 申请号： | 201920177352.2 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN209249457U | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李晗;余欢 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/538 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 印制板 互联 芯片 三维封装 引线框架 灌封胶 气密 三维立体结构 本实用新型 存储器器件 高密度集成 航天领域 平面空间 三维结构 电互联 堆叠层 金属镀 内引线 外引线 互连 层间 单层 堆叠 化层 接线 两层 位宽 引脚 焊接 连通 占用 航空 外部 应用 | ||
1.一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括两个互联印制板(1)和四个8G×16bit的NAND FLASH芯片(2)，一个互联印制板(1)上层设有两个NAND FLASH芯片(2)，一个互联印制板(1)下层设有分别连通同一个互联印制板(1)上层两个NAND FLASH芯片(2)的两个层间内引线(3)，两个互联印制板(1)堆叠放置，其中两个NAND FLASH芯片位于两个互联印制板(1)之间，下层互联印制板(1)的底部为引线框架(4)，引线框架(4)通过引线框架(4)上的插槽固定有外引线(7)，两个互联印制板(1)、四个NANDFLASH芯片(2)和引线框架(4)通过灌封胶(5)灌封，层间内引线(3)位于灌封胶(5)表面，灌封胶(5)外层设有外部金属镀化层引线(6)，层间内引线(3)与外引线(7)通过外部金属镀化层引线(6)连通。
2.根据权利要求1所述的一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，外部金属镀化层引线(6)外侧设有包覆层。
3.根据权利要求1所述的一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，NAND FLASH芯片(2)的引脚与互联印制板(1)引脚电气连接，层间内引线(3)与NAND FLASH芯片(2)引脚连接。
4.根据权利要求1所述的一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，NAND FLASH芯片通过焊球阵列封装在互联印制板(1)上。
5.根据权利要求1所述的一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，层间内引线采用PIN-42-508引线；互连印制板采用SR20M40-1或SR20M40-2印制板；外引线采用扁平引线-O6外引线。
6.根据权利要求1所述的一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，灌封胶采用环氧树脂胶。
7.根据权利要求1所述的一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，两个互联印制板分别为第一互联印制板和第二互联印制板，四个NANDFLASH芯片分别为第一NAND FLASH芯片U1、第二NAND FLASH芯片U2、第三NAND FLASH芯片U3和第四NAND FLASH芯片U4；
第一互联印制板上设有第一NAND FLASH芯片U1和第二NAND FLASH芯片U2，第二互联印制板上设有第三NAND FLASH芯片U3和第四NAND FLASH芯片U4，第一NAND FLASH芯片U1的数据线和第三NAND FLASH芯片U3的数据线连接，第二NAND FLASH芯片U2的数据线和第四NANDFLASH芯片U4的数据线连接；四片NAND FLASH芯片的命令锁存线、地址锁存线和写使能线分别连接在一起作为模块的整体控制端，四片NAND FLASH芯片的片选线、忙/等待线、数据选通线和写保护线均分别单独引出。
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