[实用新型]芯片转移装置有效
申请号: | 201920063497.X | 申请日: | 2019-01-15 |
公开(公告)号: | CN209374421U | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 严光能 | 申请(专利权)人: | 严光能 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L33/00;H05K13/04 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 刘翔 |
地址: | 529600 广东省阳江市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种芯片转移装置。所述芯片转移装置包括基底以及在基底上叠加设置的至少一层线圈功能层,每层线圈功能层包括多个线圈单元,每个线圈单元包括底层导电线段组、柱状软磁体以及顶层导电线段组,顶层导电线段组和底层导电线段组连接以形成螺旋状结构。多个线圈单元在通电状态时可作为螺线管产生磁性,从而可以同时吸附多个具有磁性表面的芯片,相对于现有技术可以提高芯片转移的效率,在用于LED芯片转移时,有利于满足关于LED芯片转移技术的数量庞大、高效率的要求。 | ||
搜索关键词: | 导电线段 芯片 线圈单元 转移装置 线圈功能 顶层 基底 本实用新型 螺旋状结构 磁性表面 叠加设置 通电状态 高效率 螺线管 软磁体 组连接 吸附 柱状 | ||
【主权项】:
1.一种芯片转移装置,用于转移具有磁性表面的芯片,其特征在于,所述芯片转移装置包括基底,所述基底具有一主表面,在所述基底的主表面上叠加设置有至少一层线圈功能层,每层所述线圈功能层包括沿第一方向排布的多个线圈单元;并且,沿远离所述基底主表面的方向,每个所述线圈单元依次包括:底层导电线段组,所述底层导电线段组包括沿第二方向排布的多个底层导电线段,所述第一方向和所述第二方向平行于所述基底的主表面且相互垂直;柱状软磁体,位于所述底层导电线段组上,所述柱状软磁体的延伸方向平行于所述第二方向;以及顶层导电线段组,位于所述柱状软磁体上,所述顶层导电线段组包括沿所述第二方向排布的多个顶层导电线段,所述多个底层导电线段和所述多个顶层导电线段间隔排布并依次连接而形成螺旋状结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造