[实用新型]芯片转移装置

说明书

本实用新型涉及一种芯片转移装置。所述芯片转移装置包括基底以及在基底上叠加设置的至少一层线圈功能层，每层线圈功能层包括多个线圈单元，每个线圈单元包括底层导电线段组、柱状软磁体以及顶层导电线段组，顶层导电线段组和底层导电线段组连接以形成螺旋状结构。多个线圈单元在通电状态时可作为螺线管产生磁性，从而可以同时吸附多个具有磁性表面的芯片，相对于现有技术可以提高芯片转移的效率，在用于LED芯片转移时，有利于满足关于LED芯片转移技术的数量庞大、高效率的要求。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备和显示器技术领域，尤其涉及一种芯片转移装置。

背景技术

微LED(Micro LED)显示器通常包括阵列分布的LED芯片(作为像素点)以及用于控制LED芯片的驱动阵列以及外围电路，其中LED芯片(或晶粒)被贴附在驱动阵列基板上再与对应的驱动元件利用金属线键合等方法进行电气互连。随着微LED技术的发展，超小间距LED显示将毫米级别的LED显示器的像素点微缩至微米级(单个LED微型芯片的尺寸达到0.05～1000微米级)，以得到更高像素解析率的显示效果。

目前常用的LED芯片是在诸如2至6英寸的蓝宝石衬底上通过外延工艺形成，而对应的驱动阵列基板是在另外的半导体衬底上通过半导体工艺形成，这就意味着需要将上百万颗的LED芯片转移到驱动板上对应的位置，才可以让LED芯片与对应的驱动阵列形成电气连接进而实现LED显示。传统固晶工艺采用真空吸附原理吸附单颗芯片并转移到驱动基板上的方法显然已经不能满足本领域关于LED芯片转移技术的数量庞大、高效率的要求。

实用新型内容

为了提高芯片转移的效率，本实用新型提供了一种芯片转移装置。

本实用新型提供的芯片转移装置，用于转移具有磁性表面的芯片，所述芯片转移装置包括基底，所述基底具有一主表面，在所述基底的主表面上叠加设置有至少一层线圈功能层，每层所述线圈功能层包括沿第一方向排布的多个线圈单元；并且，沿远离所述基底主表面的方向，每个所述线圈单元依次包括：

底层导电线段组，所述底层导电线段组包括沿第二方向排布的多个底层导电线段，所述第一方向和所述第二方向平行于所述基底的主表面且相互垂直；柱状软磁体，位于所述底层导电线段组上，所述柱状软磁体的延伸方向平行于所述第二方向；以及顶层导电线段组，位于所述柱状软磁体上，所述顶层导电线段组包括沿所述第二方向排布的多个顶层导电线段，所述多个底层导电线段和所述多个顶层导电线段间隔排布并依次连接而形成螺旋状结构。

可选的，所述芯片转移装置还包括：

介质材料层，设置于所述底层导电线段组与所述顶层导电线段组之间，所述介质材料层中形成有多个金属化孔，所述多个底层导电线段和所述多个顶层导电线段通过所述多个金属化孔依次连接而形成螺旋状结构。

可选的，每个所述线圈单元还包括分别作为所述螺旋状结构两端的第一引出端和第二引出端；所述芯片转移装置还包括第一公共电极线和第二公共电极线，所述第一公共电极线与每个所述线圈单元的第一引出端连接，所述第二公共电极线与每个所述线圈单元的第二引出端连接。

可选的，相邻两层所述线圈功能层通过绝缘材料隔离。

可选的，所述芯片为LED芯片，所述LED芯片包括P电极和N电极，所述磁性表面为所述P电极和/或所述N电极的表面。

可选的，所述底层导电线段和所述顶层导电线段的材料包括所述底层导电线段和所述顶层导电线段的材料包括铁、铜、镍、铬、锌、铝和银金属元素中的至少一种，或者包括导电聚合物和导电氧化物中的至少一种。

可选的，所述底层导电线段和所述顶层导电线段为金属箔。