[实用新型]芯片转移装置

权利要求书

1.一种芯片转移装置，用于转移具有磁性表面的芯片，其特征在于，所述芯片转移装置包括基底，所述基底具有一主表面，在所述基底的主表面上叠加设置有至少一层线圈功能层，每层所述线圈功能层包括沿第一方向排布的多个线圈单元；并且，沿远离所述基底主表面的方向，每个所述线圈单元依次包括：

底层导电线段组，所述底层导电线段组包括沿第二方向排布的多个底层导电线段，所述第一方向和所述第二方向平行于所述基底的主表面且相互垂直；

柱状软磁体，位于所述底层导电线段组上，所述柱状软磁体的延伸方向平行于所述第二方向；以及

顶层导电线段组，位于所述柱状软磁体上，所述顶层导电线段组包括沿所述第二方向排布的多个顶层导电线段，所述多个底层导电线段和所述多个顶层导电线段间隔排布并依次连接而形成螺旋状结构。

2.如权利要求1所述的芯片转移装置，其特征在于，还包括：

介质材料层，设置于所述底层导电线段组与所述顶层导电线段组之间，所述介质材料层中形成有多个金属化孔，所述多个底层导电线段和所述多个顶层导电线段通过所述多个金属化孔依次连接而形成螺旋状结构。

3.如权利要求1所述的芯片转移装置，其特征在于，每个所述线圈单元还包括分别作为所述螺旋状结构两端的第一引出端和第二引出端；所述芯片转移装置还包括第一公共电极线和第二公共电极线，所述第一公共电极线与每个所述线圈单元的第一引出端连接，所述第二公共电极线与每个所述线圈单元的第二引出端连接。

4.如权利要求1所述的芯片转移装置，其特征在于，相邻两层所述线圈功能层通过绝缘材料隔离。

5.如权利要求1至4任一项所述的芯片转移装置，其特征在于，所述芯片为LED芯片，所述LED芯片包括P电极和N电极，所述磁性表面为所述P电极和/或所述N电极的表面。

6.如权利要求1至4任一项所述的芯片转移装置，其特征在于，所述底层导电线段和所述顶层导电线段的材料包括铁、铜、镍、铬、锌、铝和银中的一种。

7.如权利要求1至4任一项所述的芯片转移装置，其特征在于，所述底层导电线段和所述顶层导电线段为金属箔。