[实用新型]互连结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201920043099.1 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN209561401U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 高成 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种互连结构及半导体器件，所述互连结构包括：基底，第一层间介质层，位于基底上，且第一层间介质层内具有第一金属层，第二层间介质层，覆盖第一层间介质层和第一金属层，且第二层间介质层内形成有第二凹槽，第二凹槽暴露出部分第一金属层，第二阻挡层，形成于第二凹槽的侧壁及底部，且第二阻挡层的材质包含钽化钌；第二金属层，填充于第二凹槽内。在第二凹槽的侧壁及底部形成有第二阻挡层，且第二阻挡层的材质包含钽化钌，从而使得后续形成的第二金属层的浸润性更好。并且，第一金属层内形成有凹陷，使得通孔的底部呈弧形，增大了通孔电流的横截面积，从而减小通孔的接触电阻，增加抗电子迁移能力。 | ||
| 搜索关键词： | 第一金属层 阻挡层 互连结构 第一层 介质层 通孔 半导体器件 层间介质层 第二金属层 侧壁 基底 电子迁移能力 本实用新型 接触电阻 浸润性 凹陷 减小 填充 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，其特征在于，包括：基底；第一层间介质层，位于所述基底上，且所述第一层间介质层内具有第一金属层；第二层间介质层，覆盖所述第一层间介质层和所述第一金属层，且所述第二层间介质层内形成有第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述第一金属层；第二阻挡层，形成于所述第二凹槽的侧壁及底部；以及，第二金属层，填充于所述第二凹槽内。
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