[实用新型]互连结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201920043099.1 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN209561401U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 高成 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一金属层 阻挡层 互连结构 第一层 介质层 通孔 半导体器件 层间介质层 第二金属层 侧壁 基底 电子迁移能力 本实用新型 接触电阻 浸润性 凹陷 减小 填充 暴露 覆盖 | ||
1.一种互连结构，其特征在于，包括：
基底；
第一层间介质层，位于所述基底上，且所述第一层间介质层内具有第一金属层；
第二层间介质层，覆盖所述第一层间介质层和所述第一金属层，且所述第二层间介质层内形成有第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述第一金属层；
第二阻挡层，形成于所述第二凹槽的侧壁及底部；以及，
第二金属层，填充于所述第二凹槽内。
2.如权利要求1所述的互连结构，其特征在于，所述第一层间介质层内形成有第一凹槽，所述第一金属层填充于所述第一凹槽内。
3.如权利要求2所述的互连结构，其特征在于，还包括第一阻挡层，所述第一阻挡层位于所述第一凹槽的侧壁及底部。
4.如权利要求1所述的互连结构，其特征在于，所述第二凹槽包含：形成于所述第二层间介质层内的第三凹槽，以及形成于所述第三凹槽底部的所述第二层间介质层内的通孔，所述通孔的宽度小于所述第二凹槽的宽度，且所述通孔暴露出部分所述第一金属层。
5.如权利要求4所述的互连结构，其特征在于，所述互连结构还包括保护层，形成于所述第三凹槽的侧壁及底部以及所述通孔的侧壁。
6.如权利要求5所述的互连结构，其特征在于，所述保护层的厚度小于所述第二阻挡层的厚度。
7.如权利要求6所述的互连结构，其特征在于，所述第一金属层内形成有凹陷使得所述通孔的底部呈弧形。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底；
第一层间介质层，位于所述基底上，且所述第一层间介质层内具有第一金属层；
第二层间介质层，覆盖所述第一层间介质层和所述第一金属层，且所述第二层间介质层内形成有第二凹槽，所述第二凹槽部分所述第一金属层；
第二阻挡层，形成于所述第二凹槽的侧壁及底部；
第二金属层，填充于所述第二凹槽内。
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