[实用新型]嵌入式电容结构、存储装置有效
| 申请号： | 201920008088.X | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN209119168U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 赵忠强 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种嵌入式电容结构、存储装置，属于半导体技术领域。该嵌入式电容结构包括第一支承层、第一电极、介电层和第二电极，其中，第一支承层设于一衬底的一侧，且具有第一支承孔；第一电极呈柱状且延伸方向与所述衬底所在平面垂直；所述第一电极具有设于所述衬底表面的第一端和远离所述衬底的第二端，且所述第二端配合地穿设于所述第一支承孔；所述第一电极设有电容槽，且所述电容槽的槽口设于所述第二端；所述第二端的一侧设有开口，且所述开口靠近所述衬底的一端位于所述第一支承层靠近所述衬底的表面与所述衬底之间；介电层，覆盖所述第一电极；第二电极，覆盖所述介电层。该嵌入式电容结构能提高嵌入式电容结构的制备效率和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 嵌入式电容 第一电极 介电层 支承层 存储装置 第二电极 电容槽 支承孔 开口 半导体技术领域 衬底表面 所在平面 呈柱状 第一端 槽口 穿设 良率 覆盖 制备 垂直 延伸 配合 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式电容结构，其特征在于，包括：第一支承层，设于一衬底的一侧，且具有第一支承孔；第一电极，呈柱状且延伸方向与所述衬底所在平面垂直；所述第一电极具有设于所述衬底表面的第一端和远离所述衬底的第二端，且所述第二端配合地穿设于所述第一支承孔；所述第一电极设有电容槽，且所述电容槽的槽口设于所述第二端；所述第二端的一侧设有开口，且所述开口靠近所述衬底的一端位于所述第一支承层靠近所述衬底的表面与所述衬底之间；介电层，覆盖所述第一电极；第二电极，覆盖所述介电层。
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