[实用新型]嵌入式电容结构、存储装置

说明书

本公开提供了一种嵌入式电容结构、存储装置，属于半导体技术领域。该嵌入式电容结构包括第一支承层、第一电极、介电层和第二电极，其中，第一支承层设于一衬底的一侧，且具有第一支承孔；第一电极呈柱状且延伸方向与所述衬底所在平面垂直；所述第一电极具有设于所述衬底表面的第一端和远离所述衬底的第二端，且所述第二端配合地穿设于所述第一支承孔；所述第一电极设有电容槽，且所述电容槽的槽口设于所述第二端；所述第二端的一侧设有开口，且所述开口靠近所述衬底的一端位于所述第一支承层靠近所述衬底的表面与所述衬底之间；介电层，覆盖所述第一电极；第二电极，覆盖所述介电层。该嵌入式电容结构能提高嵌入式电容结构的制备效率和良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种嵌入式电容结构、存储装置。

背景技术

电容是一种重要的电器元件，广泛应用于半导体等技术领域。举例而言，在DRAM(动态随机存取存储器)中，电容可以作为存储元件以存储信息。随着半导体技术的发展，电容的尺寸越来越小。

在制备微小尺寸的电容时，例如制备纳米级的嵌入式电容结构时，通常在获得电容深沟后借助浸润式曝光机来形成网格图案结构，然后利用电容深沟和网格图案结构填充介电层。然而，浸润式曝光机的使用成本高昂，导致了电容的制备成本较高。而且，在形成的网格图案结构时，难以与电容深沟有效对准，导致介电层填入困难，降低了电容的制备效率和良率。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种嵌入式电容结构、存储装置，降低嵌入式电容结构的制备成本，提高嵌入式电容结构的制备效率和良率。

根据本公开的第一个方面，提供一种嵌入式电容结构，包括：

第一支承层，设于一衬底的一侧，且具有第一支承孔；

第一电极，呈柱状且延伸方向与所述衬底所在平面垂直；所述第一电极具有设于所述衬底表面的第一端和远离所述衬底的第二端，且所述第二端配合地穿设于所述第一支承孔；所述第一电极设有电容槽，且所述电容槽的槽口设于所述第二端；所述第二端的一侧设有开口，且所述开口靠近所述衬底的一端位于所述第一支承层靠近所述衬底的表面与所述衬底之间；

介电层，覆盖所述第一电极；

第二电极，覆盖所述介电层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一支承层的材料为氮化硅。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一支承层的厚度为60～100纳米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极的长度为800～1500纳米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极垂直于其延伸方向的截面的最大尺寸为15～50纳米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述开口靠近所述衬底的一端与所述第一支承层靠近所述衬底的表面之间的距离为50～100纳米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述嵌入式电容结构还包括：

第二支承层，设于所述衬底与所述第一支承层之间，且具有与所述第一支承孔对应的第二支承孔，所述第一端配合地穿设于所述第二支承孔。

在本公开的一种示例性实施例中，所述介电层覆盖所述第一电极的内表面和所述第一电极的外表面的至少部分区域。

在本公开的一种示例性实施例中，所述介电层的材料为氧化铝、氧化硅、氧化锆和氮化硅中的一种或者多种

根据本公开的第二个方面，提供一种存储装置，包括上述的嵌入式电容结构。