[实用新型]嵌入式电容结构、存储装置有效

申请号：	201920008088.X	申请日：	2019-01-03
公开（公告）号：	CN209119168U	公开（公告）日：	2019-07-16
发明（设计）人：	赵忠强	申请（专利权）人：	长鑫存储技术有限公司
主分类号：	H01L49/02	分类号：	H01L49/02
代理公司：	北京律智知识产权代理有限公司 11438	代理人：	袁礼君;阚梓瑄
地址：	230000 安徽省合肥市***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	衬底嵌入式电容第一电极介电层支承层存储装置第二电极电容槽支承孔开口半导体技术领域衬底表面所在平面呈柱状第一端槽口穿设良率覆盖制备垂直延伸配合
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【权利要求书】：

1.一种嵌入式电容结构，其特征在于，包括：

第一支承层，设于一衬底的一侧，且具有第一支承孔；

第一电极，呈柱状且延伸方向与所述衬底所在平面垂直；所述第一电极具有设于所述衬底表面的第一端和远离所述衬底的第二端，且所述第二端配合地穿设于所述第一支承孔；所述第一电极设有电容槽，且所述电容槽的槽口设于所述第二端；所述第二端的一侧设有开口，且所述开口靠近所述衬底的一端位于所述第一支承层靠近所述衬底的表面与所述衬底之间；

介电层，覆盖所述第一电极；

第二电极，覆盖所述介电层。

2.根据权利要求1所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述第一支承层的材料为氮化硅。

3.根据权利要求1所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述第一支承层的厚度为60～100纳米。

4.根据权利要求1所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述第一电极的长度为800～1500纳米。

5.根据权利要求1所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述第一电极垂直于其延伸方向的截面的最大尺寸为15～50纳米。

6.根据权利要求1所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述开口靠近所述衬底的一端与所述第一支承层靠近所述衬底的表面之间的距离为50～100纳米。

7.根据权利要求1所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述嵌入式电容结构还包括：

第二支承层，设于所述衬底与所述第一支承层之间，且具有与所述第一支承孔对应的第二支承孔，所述第一端配合地穿设于所述第二支承孔。

8.根据权利要求1所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述介电层覆盖所述第一电极的内表面和所述第一电极的外表面的至少部分区域。

9.根据权利要求1所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述介电层的材料为氧化铝、氧化硅、氧化锆和氮化硅中的一种或者多种。

10.一种存储装置，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的嵌入式电容结构。