[发明专利]具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备有效
申请号: | 201911419075.2 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111130481B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 温攀;庞慰;张兰月;张巍;张孟伦;杨清瑞 | 申请(专利权)人: | 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H3/007 | 分类号: | H03H3/007;H03H9/17 |
代理公司: | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人: | 汤雄军 |
地址: | 300462 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及具有叠置单元的半导体结构,包括沿半导体结构的厚度方向上叠置的至少两个单元,其中:每个单元包括基底,所述至少两个单元中的至少一个单元在其基底设置有器件;每个单元还包括设置在基底的多个导电凸块;相邻叠置的两个单元的对应的导电凸块彼此相对而键合连接;所述叠置的至少两个单元的最上侧的单元的顶部基底与最下侧的单元的底部基底均构成所述半导体结构的封装层。本发明还涉及叠置单元的半导体结构的制造方法及具有该结构的电子设备。 | ||
搜索关键词: | 具有 单元 半导体 结构 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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