[发明专利]具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备

权利要求书

1.一种具有叠置单元的半导体结构，包括沿半导体结构的厚度方向上叠置的至少两个单元，其中：

每个单元包括基底，所述至少两个单元中的至少一个单元在其基底设置有器件；

每个单元还包括设置在基底的多个导电凸块；

相邻叠置的两个单元的对应的导电凸块彼此相对而键合连接；

所述叠置的至少两个单元的最上侧的单元的顶部基底与最下侧的单元的底部基底均构成所述半导体结构的封装层；

所述叠置的至少两个单元的最上侧的单元的顶部基底与最下侧的单元的底部基底均为设置有器件的器件基底；

所述半导体结构还包括多个导电通孔，所述导电通孔至少穿过相邻叠置的两个单元中的一个单元的基底而与对应的导电凸块电连接；

所述导电通孔中的至少一个穿过所述最上侧的 单元的顶部基底自上而下延伸过顶部基底下侧的对应导电凸块而与所述最下侧的单元的对应导电凸块电连接；

所述导电通孔上端开口于所述最上侧单元的顶部基底的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述至少两个单元包括沿半导体结构的厚度方向上叠置的第一单元和第二单元，第一单元在第二单元的上方，其中：

第一单元包括第一基底、自第一基底的下表面凸出的多个第一导电凸块；

第二单元包括第二基底、自第二基底的上表面凸出的多个第二导电凸块；

第一导电凸块与对应的第二导电凸块彼此相对对齐且键合连接，第一基底的下表面与第二基底的上表面之间限定第一容纳空间；

所述导电通孔穿过第一基底以及对应第一导电凸块且与设置在第一基底的上表面的导电块电连接；

第一基底的下表面和第二基底的上表面中的至少一个表面设置有器件，自器件所在表面凸出的所述导电凸块的凸出高度大于对应器件的厚度，所述器件位于所述第一容纳空间内。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：

所述半导体结构还包括第三单元，所述第三单元包括第三基底、且自第三基底的上表面凸出的第三导电凸块；

所述第二基底的下表面设置有下导电凸块；

所述第三导电凸块与对应的下导电凸块彼此相对对齐且键合连接，第二基底的下表面与第三基底的上表面之间限定第二容纳空间；

所述导电通孔延伸过所述第二基底而与对应的下导电凸块电连接；

第二基底的下表面和第三基底的上表面中的至少一个表面设置有另外的器件，自所述另外的器件所在表面凸出的所述导电凸块的凸出高度大于对应器件的厚度，所述另外的器件位于所述第二容纳空间内。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：

所述第一单元和第二单元组成第一单元组；

所述半导体结构还包括第二单元组，第二单元组在半导体的厚度方向上位于第一单元组的下方；

第二单元组包括第三单元与第四单元，第一单元至第四单元在半导体结构的厚度方向上从上至下依次叠置；

第三单元包括第三基底、自第三基底的下表面凸出的多个第三导电凸块；

第四单元包括第四基底、自第四基底的上表面凸出的多个第四导电凸块；

第二基底的下表面设置有自其凸出的下导电凸块，第三基底的上表面设置有自其凸出的上导电凸块，下导电凸块与对应的上导电凸块彼此相对对齐且键合连接，第三基底的下表面与第四基底的上表面之间限定第三容纳空间；

导电通孔穿过第一基底、对应的第一导电凸块和第二导电凸块、第二基底、对应的下导电凸块和上导电凸块、第三基底而与第三导电凸块电连接；且

第三基底的下表面与第四基底的上表面中的至少一个表面设置有另外的器件，自所述另外的器件所在表面凸出的所述导电凸块的凸出高度大于对应器件的厚度，所述另外的器件位于所述第三容纳空间内。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

至少一个导电通孔在所述最上侧单元的顶部基底的上表面与导电焊盘电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

彼此相对对齐且键合连接的两个导电凸块中的至少一个导电凸块的端面设置有凹凸结构。