[发明专利]具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备

说明书

本发明涉及具有叠置单元的半导体结构，包括沿半导体结构的厚度方向上叠置的至少两个单元，其中：每个单元包括基底，所述至少两个单元中的至少一个单元在其基底设置有器件；每个单元还包括设置在基底的多个导电凸块；相邻叠置的两个单元的对应的导电凸块彼此相对而键合连接；所述叠置的至少两个单元的最上侧的单元的顶部基底与最下侧的单元的底部基底均构成所述半导体结构的封装层。本发明还涉及叠置单元的半导体结构的制造方法及具有该结构的电子设备。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种具有叠置单元的半导体结构及其制造方法，以及一种具有该半导体结构的电子设备。

背景技术

随着当今无线通讯技术的飞速发展，小型化便携式终端设备的应用也日益广泛，因而对于高性能、小尺寸的射频前端模块和器件的需求也日益迫切。

MEMS涉及电子、机械、材料、生物、医学等各种领域，具有广阔的应用前景。在电子消费、智能终端领域中要求MEMS尺寸成本进一步降低，对MEMS尺寸集成度越来越高。

FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，薄膜体声波谐振器)滤波器作为MEMS的一种重要器件，其在射频前端领域占有重要的地位。随着射频通讯的发展，FBAR在手机等消费电子产品中数量越来越多，所占面积比重也越来越大。因此对于FBAR滤波器的面积减小的要求越来越高。

传统FBAR滤波器需要在器件基底上方键合一个盖帽层进行密封，其中盖帽层为另一层基底，防止水汽进入引起器件性能的大幅降低。器件的电性能通过导电通孔导通到盖帽层的背面金属焊盘(Pad)上。

不过，现有技术中仍然存在进一步降低传统的FBAR滤波器的封装成本以及滤波器体积的需要。

发明内容

为缓解或解决使用现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种具有叠置单元的半导体结构，包括沿半导体结构的厚度方向上叠置的至少两个单元，其中：

每个单元包括基底，所述至少两个单元中的至少一个单元在其基底设置有器件；

每个单元还包括设置在基底的多个导电凸块；

相邻叠置的两个单元的对应的导电凸块彼此相对而键合连接；

所述叠置的至少两个单元的最上侧的单元的顶部基底与最下侧的单元的底部基底均构成所述半导体结构的封装层。

可选的，所述半导体结构还包括多个导电通孔，所述导电通孔至少穿过相邻叠置的两个单元中的一个单元的基底而与对应的导电凸块电连接。

本发明的实施例还涉及一种具有叠置单元的半导体结构的制造方法，所述半导体结构包括沿半导体结构的厚度方向上叠置的至少两个单元，所述方法包括步骤：

提供第一单元，所述第一单元包括第一基底，且第一基底的第一侧设置有多个第一导电凸块；

提供第二单元，所述第二单元包括第二基底，且第二基底的第一侧设置有多个第二导电凸块；

将第一单元与第二单元相对叠置，使得两个单元的对应的导电凸块彼此相对而键合连接，

其中：

所述叠置的至少两个单元的最上侧的单元的顶部基底与最下侧的单元的底部基底均构成所述半导体结构的封装层。

本发明的实施例还涉及一种电子设备，具有上述的半导体结构。

附图说明

以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：