[发明专利]LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911418179.1 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130649A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李佳豪;金华俊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种LDMOS器件，一种LDMOS器件，包括：基底；漂移区，位于基底内；若干个间隔排布的沟槽，位于漂移区内；若干个金属场板，分别位于各沟槽内；隔离介质层，至少位于金属场板与沟槽内壁之间。间隔排布的沟槽使得金属场板能够有效的深入漂移区内部，从而形成多维度的耗尽效果，同时，由于间隔排布的沟槽之间的漂移区保留了漂移区表面的载流子通道，LDMOS器件的载流子基本是沿着漂移区的表面流动，相较于载流子沿着沟槽的侧壁和沟槽的底壁绕过沟槽，载流子的运动途径更短，能够有效的降低LDMOS器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911418179.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
