[发明专利]LDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

基底；

漂移区，位于所述基底内；

若干个间隔排布的沟槽，位于所述漂移区内；

若干个金属场板，分别位于各所述沟槽内；

隔离介质层，至少位于所述金属场板与所述沟槽内壁之间。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述金属场板的材质为钨硅化合物。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述金属场板包括柱状结构。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述沟槽为浅沟槽。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

栅极，位于所述漂移区上；

栅氧化层，位于所述栅极与所述漂移区之间；

体区，位于所述漂移区内，所述栅极跨设在所述漂移区和所述体区上方；

源极，位于体区内，且位于所述栅极一侧；

漏极，位于所述漂移区内，且位于所述栅极远离所述源极的一侧；

所述沟槽及所述金属场板位于所述栅极与所述漏极之间，且与所述栅极及所述漏极均具有间距。

6.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，若干个所述沟槽沿所述栅极延伸的方向间隔排布。

7.根据权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，若干所述沟槽沿所述栅极延伸的方向设置呈一列。

8.根据权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括互连结构，所述互连结构将所述源极与所述金属场板电连接。

9.一种LDMOS器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基底；

于所述基底内形成若干个间隔排布的沟槽，所述沟槽内填充隔离介质层；

于所述基底内形成漂移区，所述沟槽分布于所述漂移区内；

于各所述沟槽内分别形成金属场板，所述隔离介质层至少位于所述金属场板与所述沟槽的内壁之间。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述于所述基底内形成漂移区，所述沟槽分布于所述漂移区内之后，所述于各所述沟槽内分别形成金属场板，所述隔离介质层至少位于所述金属场板与所述沟槽的内壁之间之前，还包括：

于所述漂移区内形成体区；

于所述基底上形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述漂移区的和所述体区；

于所述栅氧化层的表面形成栅极，且所述栅极跨设在所述漂移区和所述体区上方；

于所述体区内形成源极，并于所述漂移区内形成漏极；所述源极位于所述栅极远离所述金属场板的一侧，所述漏极位于所述沟槽远离所述栅极的一侧。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，若干个所述沟槽沿所述栅极延伸的方向间隔排布。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述于所述体区内形成源极，并于所述漂移区内形成漏极；所述源极位于所述栅极远离所述金属场板的一侧，所述漏极位于所述沟槽远离所述栅极的一侧之后，还包括：形成互连结构，所述互连结构将所述金属场板与所述源极电连接。