[发明专利]LDMOS器件及其制备方法

说明书

本发明涉及一种LDMOS器件，一种LDMOS器件，包括：基底；漂移区，位于基底内；若干个间隔排布的沟槽，位于漂移区内；若干个金属场板，分别位于各沟槽内；隔离介质层，至少位于金属场板与沟槽内壁之间。间隔排布的沟槽使得金属场板能够有效的深入漂移区内部，从而形成多维度的耗尽效果，同时，由于间隔排布的沟槽之间的漂移区保留了漂移区表面的载流子通道，LDMOS器件的载流子基本是沿着漂移区的表面流动，相较于载流子沿着沟槽的侧壁和沟槽的底壁绕过沟槽，载流子的运动途径更短，能够有效的降低LDMOS器件的导通电阻。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种LDMOS器件及其制备方法。

背景技术

随着功率集成电路的飞速发展，功率半导体器件的研究与开发显得愈发重要，对于LDOMS(横向扩散金属氧化物半导体)器件，为了提高LDMOS器件漂移区的耗尽能力，现有的LDMOS器件中一般通过在漂移区内挖沟槽并在沟槽内形成金属孔场板，且将金属场板与源极互连以实现对LDMOS器件的漂移区起到耗尽作用，从而形成多维度的耗尽效果。然而，由于在上述方案中引入沟槽结构使得载流子从源极流向漏极的距离增大，造成导通电阻(Ron)也增大，造成LDMOS的导通电阻降低的幅度有限。

发明内容

基于此，有必要针对LDMOS的导通电阻降低的幅度有限，提供一种LDMOS器件及其制备方法。

一种LDMOS器件，包括：

基底；

漂移区，位于所述基底内；

若干个间隔排布的沟槽，位于所述漂移区内；

若干个金属场板，分别位于各所述沟槽内；

隔离介质层，至少位于所述金属场板与所述沟槽内壁之间。

根据上述技术方案，间隔排布的沟槽使得金属场板能够有效的深入漂移区内部，从而形成多维度的耗尽效果，同时，由于间隔排布的沟槽之间的漂移区保留了漂移区表面的载流子通道，LDMOS器件的载流子基本是沿着漂移区的表面流动，相较于载流子沿着沟槽的侧壁和底壁绕过沟槽，载流子的运动途径更短，能够有效的降低LDMOS器件的导通电阻。

在其中一个实施例中，所述金属场板的材质为钨硅化合物。

在其中一个实施例中，所述金属场板包括柱状结构。

在其中一个实施例中，所述沟槽为浅沟槽。

在其中一个实施例中，还包括：

栅极，位于所述漂移区上；

栅氧化层，位于所述栅极与所述漂移区之间；

体区，位于所述漂移区内，所述栅极跨设在所述漂移区和所述体区上方；

源极，位于体区内，且位于所述栅极一侧；

漏极，位于所述漂移区内，且位于所述栅极远离所述源极的一侧；

所述沟槽及所述金属场板位于所述栅极与所述漏极之间，且与所述栅极及所述漏极均具有间距。

在其中一个实施例中，若干个所述沟槽沿所述栅极延伸的方向间隔排布。

在其中一个实施例中，若干所述沟槽沿所述栅极延伸的方向设置呈一列。

在其中一个实施例中，还包括互连结构，所述互连结构将所述源极与所述金属场板电连接。

本发明还提供了一种LDMOS器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基底；

于所述基底内形成若干个间隔排布的沟槽，所述沟槽内填充隔离介质层；于所述基底内形成漂移区，所述沟槽分布于所述漂移区内；