[发明专利]一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管在审

专利信息
申请号: 201911409577.7 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN113122242A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 黎瑞锋;杨一行;严怡然;刘文勇;钱磊 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09K11/56 分类号: C09K11/56;C09K11/88;H01L33/06;H01L33/28
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;宗继颖
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管,其中所述量子点具有核壳结构,所述量子点的核表面具有第一阴离子元素,所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素,所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同。本发明可通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素,调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例,从而调节缺陷态发光峰的峰位,获得所需色温的白光。本发明通过调控量子点合成途径,获得可以发射白光的量子点,并采用单层的器件结构,在仅仅使用一种量子点,即可以实现白光发射的量子点发光二极管,在降低工艺难度的同时、可以降低制造成本,有利于未来的应用推广。
搜索关键词: 一种 量子 及其 制备 方法 发光二极管
【主权项】:
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