[发明专利]一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管在审
| 申请号： | 201911409577.7 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113122242A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 黎瑞锋;杨一行;严怡然;刘文勇;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/56 | 分类号： | C09K11/56;C09K11/88;H01L33/06;H01L33/28 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;宗继颖 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
1.一种量子点，所述量子点具有核壳结构，其特征在于，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同。
2.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述第一阴离子元素和第二阴离子元素独立地选自S元素、Se元素和Te元素中的一种。
3.根据权利要求2所述的量子点，其特征在于，所述第一阴离子元素为S，形成核为CdS的量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm，所述量子点的壳为ZnS，所述第二阴离子元素为Se或Te。
4.一种量子点材料组合物，其特征在于，包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和第二量子点均为量子点，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同；所述第一阴离子元素为S，形成核为CdS的量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm，所述量子点的壳为ZnS，所述第二阴离子元素为Se或Te；
所述第一量子点的核表面的S和Se比例，与所述第二量子点的核表面的S和Se比例不同；
或者，所述第一量子点的核表面的S和Te比例，与所述第二量子点的核表面的S和Te比例不同。
5.一种量子点的制备方法，所述量子点具有核壳结构，其特征在于，
制备量子点核；所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同；
在量子点核的表面生成量子点的壳层，得到所述量子点。
6.根据权利要求5所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述第一阴离子元素和第二阴离子元素独立地选自S元素、Se元素和Te元素中的一种。
7.根据权利要求6所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述第一阴离子元素为S，形成核为CdS的量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm，所述量子点的壳为ZnS，所述第二阴离子元素为Se或Te。
8.一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其特征在于，所述量子点发光层包括权利要求1-3任一项所述的量子点。
9.一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其特征在于，所述量子点发光层包括权利要求4所述的量子点材料组合物。
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