[发明专利]一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管

说明书

本发明公开一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管，其中所述量子点具有核壳结构，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同。本发明可通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素，调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例，从而调节缺陷态发光峰的峰位，获得所需色温的白光。本发明通过调控量子点合成途径，获得可以发射白光的量子点，并采用单层的器件结构，在仅仅使用一种量子点，即可以实现白光发射的量子点发光二极管，在降低工艺难度的同时、可以降低制造成本，有利于未来的应用推广。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管。

背景技术

半导体量子点通常是由大量原子组成的一般为球形的半导体晶体，由于它的尺寸很小，接近波尔半径，表现为明显的量子效应。经过多年的研究和发展，II-VI族量子点的制备与合成技术已趋近完善，如：其形貌、尺寸和成分均可以实现精细制备，表面配体可以有选择性的进行调控；同时，其光致发光效率接近100％，发射峰宽可小于30nm，开始广泛应用于发光器件、显示器件和生物领域中。

基于半导体量子点的发光二极管，具备颜色纯度高、发光波长可调、驱动效率高等特点，并且易于通过溶液方法制备，降低了发光二极管的制备成本和工艺复杂程度，是未来显示行业的重要发展技术。经过了将近25年的发展，量子点的效率已经由0.01％提升至超过20％。利用量子点制备的QLED不仅能用于显示，也是未来照明行业的重要技术力量。传统制备QLED的思路，分别使用红、绿、蓝三色量子点制备器件，对于白光QLED器件，往往需要制备复杂的叠层器件结构，大幅增加了工艺难度、良率以及成本。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管。

本发明的技术方案如下：

一种量子点，所述量子点具有核壳结构，其中，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同。

一种量子点，所述量子点具有核壳结构，其中，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm。

一种量子点材料组合物，其中，包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和第二量子点均为量子点，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同；所述第一阴离子元素为S，形成核为CdS的量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm，所述量子点的壳为ZnS，所述第二阴离子元素为Se或Te；

所述第一量子点的核表面的S和Se比例，与所述第二量子点的核表面的S和Se比例不同；

或者，所述第一量子点的核表面的S和Te比例，与所述第二量子点的核表面的S和Te比例不同。

一种量子点的制备方法，所述量子点具有核壳结构，其中，

制备量子点核；所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素；

在量子点核的表面生成量子点的壳层，得到所述量子点。

一种量子点的制备方法，所述量子点具有核壳结构，其中，

制备量子点核；

在量子点核的表面生成量子点的壳层，调节量子点壳层的生成时间，控制量子点的壳层厚度为0.1-1nm，得到所述量子点。

一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层包括本发明所述的量子点。