[发明专利]改性BiVO4

摘要

本发明涉及半导体材料领域，旨在提供一种改性BiVO4纳米片的制备方法。包括：将Na3VO4溶液滴入BiCl3溶液中，经水热反应制得BiVO4纳米片；将含氮前驱体灼烧获得g‑C3N4颗粒，经混合酸液处理后，经浸泡、洗涤和分散，获得g‑C3N4纳米颗粒水分散液；然后滴加至BiVO4悬浮液中，超声、搅拌所得固体产物经过滤、洗涤、烘干及研磨，即为改性BiVO4纳米片。本发明能够实现g‑C3N4纳米颗粒常温下在BiVO4纳米片表面的牢固负载，避免了传统高温煅烧复合可能带来的颗粒团聚、晶粒长大等问题。构筑了表面分散型纳米异质结，有效避免了因晶体结构不同导致的界面失配现象，促进了光生载流子在BiVO4与g‑C3N4间的迁移与分离，提高了光催化量子效率。