[发明专利]一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线有效
| 申请号： | 201911408386.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111064451B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘庆想;张同信;王利明;张政权 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H03K3/53 | 分类号： | H03K3/53 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 杨浩林 |
| 地址： | 610031*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线，其特征在于，包括：充电电源V1、充电开关S2、等效负载R1、Blumlein脉冲形成线和脉冲吸收电路FR1；所述Blumlein脉冲形成线包括：半导体开关S1、脉冲形成线L1和脉冲形成线L2；本发明解决了负载阻抗与脉冲形成线的阻抗不匹配引起形成线上的反射电压，进而在半导体开关上产生电流震荡以及在负载上形成反向电压造成器件损坏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反向 抑制 blumlein 脉冲 形成 | ||
【主权项】：
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