[发明专利]一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线

说明书

本发明公开了一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线，其特征在于，包括：充电电源V1、充电开关S2、等效负载R1、Blumlein脉冲形成线和脉冲吸收电路FR1；所述Blumlein脉冲形成线包括：半导体开关S1、脉冲形成线L1和脉冲形成线L2；本发明解决了负载阻抗与脉冲形成线的阻抗不匹配引起形成线上的反射电压，进而在半导体开关上产生电流震荡以及在负载上形成反向电压造成器件损坏的问题。

技术领域

本发明属于脉冲功率领域，具体涉及一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线。

背景技术

在脉冲功率领域，脉冲形成线的作用是产生高压短脉冲，一般情况下，单线产生脉冲的电压为充电电压的一半，而Blumlein脉冲形成线产生的脉冲的电压可以等于充电电压，因此Blumlein脉冲形成线得到广泛的应用。在采用半导体开关的Blumlein脉冲形成线中，如果负载阻抗与脉冲形成线的阻抗不匹配，会在脉冲形成线上引起反射电压，进而在半导体开关上产生电流震荡，该电流震荡导致固态开关的损坏；形成线上的反射电压还会在负载上形成反向电压，该反向电压可能造成器件损坏。

发明内容

针对现有技术中的上述不足，本发明提供的一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线解决了负载阻抗与脉冲形成线的阻抗不匹配引起形成线上的反射电压，进而在半导体开关上产生电流震荡以及在负载上形成反向电压造成器件损坏的问题。

为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案为：一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线，包括：充电电源V1、充电开关S2、等效负载R1、Blumlein脉冲形成线和脉冲吸收电路；

所述Blumlein脉冲形成线包括：半导体开关S1、脉冲形成线L1和脉冲形成线L2；

所述脉冲形成线L1和脉冲形成线L2均包括：A端、B端和接地端；

所述脉冲形成线L1和脉冲形成线L2的接地端均接地；

所述充电电源V1的正极与充电开关S2的一端连接，其负极接地；所述充电开关S2的另一端分别与脉冲形成线L1的B端和等效负载R1的一端连接；

所述半导体开关S1的一端接地，其另一端与脉冲形成线L1的A端连接；

所述脉冲形成线L2的A端与等效负载R1的另一端连接，其B端开路；

所述脉冲吸收电路接入Blumlein脉冲形成线。

进一步地：脉冲吸收电路包括：脉冲吸收电路FR1；所述脉冲吸收电路FR1包括电阻R和二极管D，其外围接口包括：C端和D端；所述电阻R的一端作为C端，其另一端与二极管D的负极连接，所述二极管D的正极作为D端。

进一步地：脉冲吸收电路FR1的D端接地，其C端与脉冲形成线L2的B端连接。

进一步地：脉冲形成线L1的阻抗等于和脉冲形成线L2的阻抗；所述脉冲吸收电路FR1中电阻R的阻值等于脉冲形成线L1的阻抗。

本发明有益效果为：本发明提出的脉冲吸收电路FR1能够吸收负载阻抗偏低时的反向电流，同时也吸收了等效负载R1上的反向电压，起到保护器件的作用。

附图说明

图1为不带脉冲吸收电路的BLUMLEIN脉冲形成线；

图2为负载阻抗与Blumlein脉冲形成线匹配时等效负载R1上的电压波形图和半导体开关S1的电流波形图；

图3为负载阻抗小于Blumlein脉冲形成线匹配时等效负载R1上的电压波形图和半导体开关S1的电流波形图；

图4为负载阻抗大于Blumlein脉冲形成线匹配时等效负载R1上的电压波形图和半导体开关S1的电流波形图