[发明专利]一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线有效
| 申请号： | 201911408386.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111064451B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘庆想;张同信;王利明;张政权 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H03K3/53 | 分类号： | H03K3/53 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 杨浩林 |
| 地址： | 610031*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反向 抑制 blumlein 脉冲 形成 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线，其特征在于，包括：充电电源V1、充电开关S2、等效负载R1、Blumlein脉冲形成线和脉冲吸收电路；
所述Blumlein脉冲形成线包括：半导体开关S1、脉冲形成线L1和脉冲形成线L2；
所述脉冲形成线L1和脉冲形成线L2均包括：A端、B端和接地端；
所述脉冲形成线L1和脉冲形成线L2的接地端均接地；
所述充电电源V1的正极与充电开关S2的一端连接，其负极接地；所述充电开关S2的另一端分别与脉冲形成线L1的B端和等效负载R1的一端连接；
所述半导体开关S1的一端接地，其另一端与脉冲形成线L1的A端连接；
所述脉冲形成线L2的A端与等效负载R1的另一端连接，其B端开路；
所述脉冲吸收电路接入Blumlein脉冲形成线；
脉冲吸收电路包括：脉冲吸收电路FR1；所述脉冲吸收电路FR1包括电阻R和二极管D，其外围接口包括：C端和D端；所述电阻R的一端作为C端，其另一端与二极管D的负极连接，所述二极管D的正极作为D端；
脉冲吸收电路FR1的D端接地，其C端与脉冲形成线L2的B端连接。
2.根据权利要求1所述的具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线，其特征在于，所述脉冲形成线L1的阻抗等于脉冲形成线L2的阻抗；所述脉冲吸收电路FR1中电阻R的阻值等于脉冲形成线L1的阻抗。
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