[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201911402250.7 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112037842A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 前田高志 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够抑制数据的误写入的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备：第1存储单元及第2存储单元，能够存储数据且与位线并联连接；第1字线，与所述第1存储单元连接；与所述第1字线不同的第2字线，与所述第2存储单元连接；及控制电路。所述第1存储单元及所述第2存储单元相互共有第1阱区域，且隔着所述第1阱区域对向地设置。所述控制电路构成为在第1动作中，一边使所述第1电压增加一边反复多次对所述第1字线及所述第2字线施加第1电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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