[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，

具备：

第1存储单元及第2存储单元，能够存储数据且与位线并联连接；

第1字线，与所述第1存储单元连接；

与所述第1字线不同的第2字线，与所述第2存储单元连接；及

控制电路；且

所述第1存储单元及所述第2存储单元相互共有第1阱区域，且隔着所述第1阱区域对向地设置，

所述控制电路构成为在第1动作中，一边使所述第1电压增加，一边反复多次对所述第1字线及所述第2字线施加第1电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路构成为在所述第1动作中，

对所述第1字线及所述第2字线施加第2电压，判定所述第1存储单元及所述第2存储单元是否均属于第1状态，

一边使所述第1电压增加，一边反复多次进行所述判定及施加所述第1电压，直到判定所述第1存储单元及所述第2存储单元均属于所述第1状态为止。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路构成为，在删除所述第1存储单元及所述第2存储单元中存储的数据的第2动作之后，执行所述第1动作。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路构成为，在执行所述第2动作之后，且在向所述第1存储单元写入数据的第3动作及向所述第2存储单元写入数据的第4动作之前，执行所述第1动作。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其

还具备：

第3存储单元及第4存储单元，能够存储数据且与所述位线并联连接；

第3字线，与所述第3存储单元连接；及

第4字线，与所述第4存储单元连接；且

所述第1存储单元、所述第2存储单元、所述第3存储单元及所述第4存储单元相互共有所述第1阱区域，

所述第1存储单元及所述第3存储单元隔着所述第1阱区域与所述第2存储单元及所述第4存储单元对向地设置，

所述控制电路构成为执行第5动作，即，

对所述第3字线及所述第4字线施加所述第2电压，判定所述第3存储单元及所述第4存储单元是否均属于所述第1状态，

一边使所述第1电压增加，一边反复多次进行所述判定以及对所述第3字线及所述第4字线施加所述第1电压，直到判定所述第3存储单元及所述第4存储单元均属于所述第1状态为止。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路构成为，

在所述第2动作中，进一步删除所述第3存储单元及所述第4存储单元中存储的数据，

在执行所述第2动作之后，且在向所述第3存储单元写入数据的第6动作及向所述第4存储单元写入数据的第7动作之前，执行所述第5动作。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

所述第3字线及所述第4字线位于所述第1字线及所述第2字线的上方，

所述控制电路构成为，在执行所述第3动作及所述第4动作之后，执行所述第5动作。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

所述第3字线及所述第4字线位于所述第1字线及所述第2字线的上方，

所述控制电路构成为，在执行所述第3动作及所述第4动作之前，执行所述第5动作。