[发明专利]掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法在审
| 申请号： | 201911394067.7 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111736424A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 中川良知;朝生光人;铃木胜美;冈部卫;荷田昌克 | 申请（专利权）人： | 日本株式会社日立高新技术科学 |
| 主分类号： | G03F1/74 | 分类号： | G03F1/74 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄志坚;崔成哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法，不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正。掩模缺陷修正装置使得一边向掩模的缺陷供给气体，一边照射由补正部补正后的照射量的带电粒子束，从而形成沉积膜。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 修正 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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