[发明专利]掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法

说明书

本发明提供掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法，不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正。掩模缺陷修正装置使得一边向掩模的缺陷供给气体，一边照射由补正部补正后的照射量的带电粒子束，从而形成沉积膜。

技术领域

本发明涉及掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法。

背景技术

公知有使用照射聚焦离子束或电子束等的带电粒子束装置来修正掩模的缺陷的掩模缺陷修正装置。

与此相关地，公知有一种灰色调的图案膜缺陷修正方法(参照专利文献1)，该图案膜缺陷修正方法使用了图案膜修正装置，该图案膜修正装置具有：离子光学系统，其产生聚焦离子束，以便对形成有光透过率为中间量的图案膜的灰色调的掩模的缺陷进行修正；二次带电粒子检测器，其检测向掩模照射聚焦离子束而产生的二次带电粒子；图像处理装置，其取得离子光学系统和二次带电粒子检测器的信息并对掩模的图案信息进行处理；以及化合物蒸气喷射装置，其向该缺陷喷射有机化合物蒸气，使得在根据图像处理装置的信息得到的掩模的缺陷位置处形成FIB-CVD膜而进行修正，其中，在形成FIB-CVD膜之前，设置如下的前工序：对在该缺陷的一部分中图案膜不是正常的厚度但有残留的部分照射聚焦离子束而除去，从而使缺陷区域成为未形成图案膜的状态，将从前工序后的缺陷区域的边界起的尺寸依赖于聚焦离子束的半径的内侧的区域设为用于形成FIB-CVD膜的聚焦离子束照射区域，在喷射有机化合物蒸气的同时按照规定次数照射聚焦离子束，在不与图案膜重叠的区域形成具有规定的光透过率的FIB-CVD膜。

另外，作为通过这样的缺陷修正方法来修正缺陷的掩模的种类，还公知有具有透明基板、半透过层以及遮光层的半色调掩模(参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2006-350219号公报

专利文献2：日本特开2006-133785号公报

在针对半色调掩模等掩模的白缺陷修正中，需要准确地进行修正以使修正后的光透过率处于一定范围内。该光透过率与通过白缺陷修正而形成的膜的膜厚相关。但是，在现有的缺陷修正方法中，利用缺陷修正装置对该掩模进行膜形成，并使该掩模移动到检查装置而对透过率进行确认，在白缺陷修正不充分的情况下，需要再次将该掩模返回到缺陷修正装置，并进行白缺陷修正。因此，会花费大量的作业时间，另外，由于将该掩模暴露在大气中并在装置之间(即，缺陷修正装置与检查装置之间)移动，所以有可能产生新的缺陷。

发明内容

因此，本发明是鉴于上述现有技术的问题而完成的，提供不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正的掩模缺陷修正装置及掩模缺陷修正方法。

本发明的一个方式是掩模缺陷修正装置，其通过带电粒子束感应沉积来形成标准沉积膜，并使用膜厚测定结果对带电粒子束的照射量进行调整，在掩模的缺陷处形成沉积膜，从而对缺陷进行修正，其中，该掩模缺陷修正装置具有：带电粒子束照射部，其照射带电粒子束；载台，其使掩模移动；气体供给部，其供给通过带电粒子束的照射而形成沉积膜的气体；控制部，其对带电粒子束照射部和气体供给部进行控制；存储部，其存储示出沉积膜的面积与带电粒子束的照射量之间的关系的校正数据；膜厚测定部，其测定标准沉积膜的膜厚；以及补正部，其根据由膜厚测定部测定出的标准沉积膜的膜厚和校正数据，对带电粒子束的照射量进行补正，控制部使得一边向掩模的缺陷供给气体，一边照射由补正部补正后的照射量的带电粒子束，从而形成沉积膜。

另外，本发明的其他方式也可以采用如下的结构：所述膜厚测定部是白色光干涉测定装置。

另外，本发明的其他方式也可以采用如下的结构：所述沉积膜的面积比所述标准沉积膜的面积小。

另外，本发明的其他方式也可以采用如下的结构：所述膜厚测定部是原子力显微镜。