[发明专利]掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法

权利要求书

1.一种掩模缺陷修正装置，其通过带电粒子束感应沉积来形成标准沉积膜，并使用膜厚测定结果对带电粒子束的照射量进行调整，在掩模的缺陷处形成沉积膜，从而对缺陷进行修正，其中，

该掩模缺陷修正装置具有：

带电粒子束照射部，其照射所述带电粒子束；

载台，其使所述掩模移动；

气体供给部，其供给通过所述带电粒子束的照射而形成沉积膜的气体；

控制部，其对所述带电粒子束照射部和所述气体供给部进行控制；

存储部，其存储示出所述沉积膜的面积与所述带电粒子束的照射量之间的关系的校正数据；

膜厚测定部，其测定所述标准沉积膜的膜厚；以及

补正部，其根据由所述膜厚测定部测定出的所述标准沉积膜的膜厚和所述校正数据，对所述带电粒子束的照射量进行补正，

所述控制部使得一边向所述掩模的缺陷处供给所述气体，一边照射由所述补正部补正后的所述照射量的所述带电粒子束，从而形成所述沉积膜。

2.根据权利要求1所述的掩模缺陷修正装置，其中，

所述膜厚测定部是白色光干涉测定装置。

3.根据权利要求1所述的掩模缺陷修正装置，其中，

所述膜厚测定部是原子力显微镜。

4.一种掩模缺陷修正方法，该掩模缺陷修正方法具有如下的工序：

通过带电粒子束感应沉积来形成标准沉积膜；

测定所述标准沉积膜的膜厚；

使用示出沉积膜的面积与带电粒子束的照射量之间的关系的校正数据和所述标准沉积膜的膜厚，对用于形成所述标准沉积膜的所述带电粒子束的照射量进行补正；

使掩模的缺陷移动到带电粒子束照射位置；以及

一边向所述缺陷处供给形成沉积膜的气体，一边照射补正后的照射量的所述带电粒子束而形成沉积膜。